是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.8 |
关态电压最小值的临界上升速率: | 50 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 15 mA |
最大直流栅极触发电压: | 1 V | 最大维持电流: | 30 mA |
JESD-609代码: | e0 | 最大漏电流: | 0.01 mA |
通态非重复峰值电流: | 80 A | 最大通态电流: | 8000 A |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 断态重复峰值电压: | 600 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MCR8DCM1 | ONSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),8A I(T),TO-252 | |
MCR8DCMT4 | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DCMT4G | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DCMT4G | LITTELFUSE |
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该硅控整流器专门用于高容量、低成本的工业和消费应用,例如电机控制、过程控制以及温度、光线和 | |
MCR8DCN | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers | |
MCR8DCN | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DCN1 | ONSEMI |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),8A I(T),TO-251 | |
MCR8DCNT4 | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DCNT4G | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors | |
MCR8DCNT4G | LITTELFUSE |
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该硅控整流器专门用于高容量、低成本的工业和消费应用,例如电机控制、过程控制以及温度、光线和 |