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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> MCR72-6
MCR72-6 PDF预览

MCR72-6

更新时间： 2024-11-01 22:46:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 触发装置可控硅整流器栅
页数 文件大小 规格书
4页 84K
描述
SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

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MCR72-6 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.11Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：10 V/us最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：6 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0最大漏电流：0.5 mA
通态非重复峰值电流：100 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：8000 A
最高工作温度：110 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：8 A
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

MCR72-6 数据手册

 浏览型号MCR72-6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MCR72-6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MCR72-6的Datasheet PDF文件第4页 
Preferred Device  
Reverse Blocking Thyristors  
http://onsemi.com  
Designed for industrial and consumer applications such as  
temperature, light and speed control; process and remote controls;  
warning systems; capacitive discharge circuits and MPU interface.  
• Center Gate Geometry for Uniform Current Density  
• All Diffused and Glass-Passivated Junctions for Parameter  
Uniformity and Stability  
SCRs  
8 AMPERES RMS  
100 thru 600 VOLTS  
G
• Small, Rugged Thermowatt Construction for Low Thermal  
Resistance, High Heat Dissipation and Durability  
• Low Trigger Currents, 200 µA Maximum for Direct Driving from  
Integrated Circuits  
A
K
• Device Marking: Logo, Device Type, e.g., MCR72–3, Date Code  
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
(1)  
Peak Repetitive Off–State Voltage  
V
Volts  
DRM,  
(T = 40 to 110°C, Sine Wave,  
50 to 60 Hz, Gate Open) MCR72–3  
V
RRM  
J
100  
400  
600  
1
MCR72–6  
MCR72–8  
2
3
TO–220AB  
CASE 221A  
STYLE 3  
On-State RMS Current  
(180° Conduction Angles; T = 83°C)  
I
8.0  
100  
40  
Amps  
Amps  
T(RMS)  
C
Peak Non-Repetitive Surge Current  
I
TSM  
(1/2 Cycle, 60 Hz, T = 110°C)  
J
PIN ASSIGNMENT  
Cathode  
2
I t  
2
A s  
Circuit Fusing Considerations  
(t = 8.3 ms)  
1
2
3
4
Anode  
Forward Peak Gate Voltage  
V
GM  
5.0  
1.0  
5.0  
0.75  
Volts  
Amp  
Watts  
Watt  
°C  
Gate  
(t ≤ 10 µs, T = 83°C)  
C
Anode  
Forward Peak Gate Current  
I
GM  
(t ≤ 10 µs, T = 83°C)  
C
Forward Peak Gate Power  
P
GM  
ORDERING INFORMATION  
(t ≤ 10 µs, T = 83°C)  
C
Device  
Package  
Shipping  
Average Gate Power  
P
G(AV)  
(t = 8.3 ms, T = 83°C)  
C
MCR72–3  
MCR72–6  
MCR72–8  
TO220AB  
TO220AB  
TO220AB  
500/Box  
500/Box  
500/Box  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Mounting Torque  
T
J
–40 to  
+110  
T
stg  
–40 to  
+150  
°C  
Preferred devices are recommended choices for future use  
—
8.0  
in. lb.  
and best overall value.  
(1) V  
DRM  
and V for all types can be applied on a continuous basis. Ratings  
RRM  
apply for zero or negative gate voltage; however, positive gate voltage shall  
not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking  
voltages shall not be tested with a constant current source such that the  
voltage ratings of the devices are exceeded.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 1999  
1
Publication Order Number:  
February, 2000 – Rev. 2  
MCR72/D  
1234

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MCR72-6 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
S4008RS2TP LITTELFUSE

功能相似

 Excellent unidirectional switches for phase control
TYN412 STMICROELECTRONICS

功能相似

 HIGH SURGE CAPABILITY HIGH ON-STATE CURRENT HIGH STABILITY AND RELIABILITY
MCR8SD ONSEMI

功能相似

 Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors

与MCR72-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCR72-6-16 MOTOROLA

获取价格

 		8A, 400V, SCR, TO-220AB, TO-220, 2 PIN
MCR72-6-A MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR72-6-AC MOTOROLA

获取价格

 		8A, 400V, SCR, TO-220AB
MCR72-6-AD MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR72-6-AJ MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR72-6-AN MOTOROLA

获取价格

 		8A, 400V, SCR, TO-220AB
MCR72-6-AS MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR72-6-BA MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR72-6-BD MOTOROLA

获取价格

 		8A, 400V, SCR, TO-220AB
MCR72-6-BG MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB

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