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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> MCR69-3
MCR69-3 PDF预览

MCR69-3

更新时间： 2024-11-08 22:46:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
8页 79K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

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MCR69-3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.13Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：1 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：10 V/us
最大直流栅极触发电流：30 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：50 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大漏电流：2 mA通态非重复峰值电流：300 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：25000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：25 A断态重复峰值电压：100 V
重复峰值反向电压：100 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

MCR69-3 数据手册

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Reverse Blocking Thyristors  
Designed for overvoltage protection in crowbar circuits.  
• Glass-Passivated Junctions for Greater Parameter Stability and  
Reliability  
http://onsemi.com  
• Center-Gate Geometry for Uniform Current Spreading Enabling  
High Discharge Current  
SCRs  
25 AMPERES RMS  
50 thru 100 VOLTS  
• Small Rugged, Thermowatt Package Constructed for Low Thermal  
Resistance and Maximum Power Dissipation and Durability  
• High Capacitor Discharge Current, 750 Amps  
• Device Marking: Logo, Device Type, e.g., MCR69–2, Date Code  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
A
K
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
(1)  
Peak Repetitive Off–State Voltage  
V
Volts  
DRM,  
(T = 40 to +125°C, Gate Open)  
V
RRM  
J
MCR69–2  
MCR69–3  
50  
100  
4
(2)  
Peak Discharge Current  
On-State RMS Current  
I
750  
25  
Amps  
Amps  
TM  
I
T(RMS)  
(180° Conduction Angles; T = 85°C)  
C
Average On-State Current  
(180° Conduction Angles; T = 85°C)  
I
16  
Amps  
Amps  
T(AV)  
1
C
2
3
Peak Non-Repetitive Surge Current  
(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz,  
I
300  
TSM  
TO–220AB  
CASE 221A  
STYLE 3  
T = 125°C)  
J
2
2
Circuit Fusing Considerations  
(t = 8.3 ms)  
I t  
375  
2.0  
20  
A s  
PIN ASSIGNMENT  
Cathode  
Forward Peak Gate Current  
(t ≤ 1.0 µs, T = 85°C)  
I
Amps  
Watts  
Watt  
°C  
GM  
1
2
3
4
C
Anode  
Forward Peak Gate Power  
(t ≤ 1.0 µs, T = 85°C)  
P
GM  
C
Gate  
Forward Average Gate Power  
(t = 8.3 ms, T = 85°C)  
P
0.5  
G(AV)  
Anode  
C
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Mounting Torque  
T
J
–40 to  
+125  
ORDERING INFORMATION  
T
–40 to  
+150  
°C  
stg  
Device  
MCR69–2  
MCR69–3  
Package  
TO220AB  
TO220AB  
Shipping  
500/Box  
500/Box  
—
8.0  
in. lb.  
(1) V  
DRM  
and V for all types can be applied on a continuous basis. Ratings  
RRM  
apply for zero or negative gate voltage; however, positive gate voltage shall  
not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking  
voltages shall not be tested with a constant current source such that the  
voltage ratings of the devices are exceeded.  
(2) Ratings apply for t = 1 ms. See Figure 1 for I  
capability for various  
w
TM  
duration of an exponentially decaying current waveform, t is defined as  
w
5 time constants of an exponentially decaying current pulse.  
(3) Test Conditions: I = 150 mA, V = Rated V  
, I  
DRM TM  
= Rated Value,  
G
D
T
= 125°C.  
J
Semiconductor Components Industries, LLC, 1999  
1
Publication Order Number:  
February, 2000 – Rev. 0  
MCR69/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCR69-3-16 MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220, 2
MCR69-3-AD MOTOROLA

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 		25A, 100V, SCR, TO-220AB
MCR69-3-AF MOTOROLA

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 		25A, 100V, SCR, TO-220AB
MCR69-3-AJ MOTOROLA

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 		25A, 100V, SCR, TO-220AB
MCR69-3-AK MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
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 		25A, 100V, SCR, TO-220AB
MCR69-3-BA MOTOROLA

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MCR69-3-BC MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR69-3-BD MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB

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