5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> MCR12DCNT4G
MCR12DCNT4G PDF预览

MCR12DCNT4G

更新时间： 2024-11-04 04:16:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅极可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors

阅读下载

中文翻译

获取价格

MCR12DCNT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252
包装说明：PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.13外壳连接：ANODE
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us
最大直流栅极触发电流：20 mA最大直流栅极触发电压：1 V
最大维持电流：40 mAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3最大漏电流：0.01 mA
湿度敏感等级：1通态非重复峰值电流：100 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：12000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

MCR12DCNT4G 数据手册

 浏览型号MCR12DCNT4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MCR12DCNT4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MCR12DCNT4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MCR12DCNT4G的Datasheet PDF文件第5页 
MCR12DCM, MCR12DCN  
Preferred Device  
Silicon Controlled Rectifiers  
Reverse Blocking Thyristors  
Designed for high volume, low cost, industrial and consumer  
applications such as motor control; process control; temperature, light  
and speed control.  
http://onsemi.com  
Features  
SCRs  
12 AMPERES RMS  
600 − 800 VOLTS  
• Small Size  
• Passivated Die for Reliability and Uniformity  
• Low Level Triggering and Holding Characteristics  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
Machine Model, C u 400 V  
G
A
K
• Pb−Free Packages are Available  
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
1
3
Peak Repetitive Off−State Voltage (Note 1)  
V
DRM,  
V
(T = −40 to 125°C, Sine Wave, 50 to 60 Hz,  
V
RRM  
J
Gate Open)  
MCR12DCM  
MCR12DCN  
600  
800  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 4  
On−State RMS Current  
I
12  
7.8  
100  
A
A
A
T(RMS)  
(180° Conduction Angles; T = 90°C)  
C
Average On−State Current  
I
T(AV)  
MARKING DIAGRAM  
(180° Conduction Angles; T = 90°C)  
C
Peak Non-Repetitive Surge Current  
I
TSM  
(1/2 Cycle, Sine Wave 60 Hz, T = 125°C)  
J
YWW  
R1  
2
2
Circuit Fusing Consideration (t = 8.3 msec)  
I t  
41  
A sec  
2DCxG  
Forward Peak Gate Power  
P
5.0  
W
W
A
GM  
(Pulse Width ≤ 1.0 ꢀ sec, T = 90°C)  
C
Forward Average Gate Power  
P
G(AV)  
0.5  
2.0  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
R12DCx = Device Code  
x= M or N  
(t = 8.3 msec, T = 90°C)  
C
Forward Peak Gate Current  
I
GM  
(Pulse Width ≤ 1.0 ꢀ sec, T = 90°C)  
C
G
= Pb−Free Package  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
−40 to 125  
−40 to 150  
°C  
°C  
J
T
stg  
PIN ASSIGNMENT  
Cathode  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1
2
3
4
Anode  
Gate  
1. V  
for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for zero  
DRM  
or negative gate voltage; positive gate voltage shall not be applied concurrent  
with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested  
with a constant current source such that the voltage ratings of the device are  
exceeded.  
Anode  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
February, 2006 − Rev. 5  
MCR12DCM/D  
 
12345

中文翻译

下载PDF

MCR12DCNT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6509G LITTELFUSE

类似代替

 该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色:
MCR12DCNT4 ONSEMI

类似代替

 Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
TN815-800B-TR STMICROELECTRONICS

类似代替

 8A SCRs

与MCR12DCNT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCR12D-DW MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR12DG ONSEMI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR12DG LITTELFUSE

获取价格

 		该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源；或用于需要半波硅门控设
MCR12DSM ONSEMI

获取价格

 		Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR12DSM MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifiers
MCR12DSM1 MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 600V V(DRM)
MCR12DSMT4 ONSEMI

获取价格

 		Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR12DSMT4G ONSEMI

获取价格

 		Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR12DSN MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifiers
MCR12DSN ONSEMI

获取价格

 		Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors

与MCR12DCNT4G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证