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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> MCR12DCMT4G
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MCR12DCMT4G

更新时间： 2024-09-14 04:14:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors

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MCR12DCMT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：3.48
Is Samacsys：N外壳连接：ANODE
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us
最大直流栅极触发电流：20 mA最大直流栅极触发电压：1 V
最大维持电流：40 mAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3最大漏电流：0.01 mA
湿度敏感等级：1通态非重复峰值电流：100 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：12000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

MCR12DCMT4G 数据手册

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MCR12DCM, MCR12DCN  
Preferred Device  
Silicon Controlled Rectifiers  
Reverse Blocking Thyristors  
Designed for high volume, low cost, industrial and consumer  
applications such as motor control; process control; temperature, light  
and speed control.  
http://onsemi.com  
Features  
SCRs  
12 AMPERES RMS  
600 − 800 VOLTS  
• Small Size  
• Passivated Die for Reliability and Uniformity  
• Low Level Triggering and Holding Characteristics  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
Machine Model, C u 400 V  
G
A
K
• Pb−Free Packages are Available  
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
1
3
Peak Repetitive Off−State Voltage (Note 1)  
V
DRM,  
V
(T = −40 to 125°C, Sine Wave, 50 to 60 Hz,  
V
RRM  
J
Gate Open)  
MCR12DCM  
MCR12DCN  
600  
800  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 4  
On−State RMS Current  
I
12  
7.8  
100  
A
A
A
T(RMS)  
(180° Conduction Angles; T = 90°C)  
C
Average On−State Current  
I
T(AV)  
MARKING DIAGRAM  
(180° Conduction Angles; T = 90°C)  
C
Peak Non-Repetitive Surge Current  
I
TSM  
(1/2 Cycle, Sine Wave 60 Hz, T = 125°C)  
J
YWW  
R1  
2
2
Circuit Fusing Consideration (t = 8.3 msec)  
I t  
41  
A sec  
2DCxG  
Forward Peak Gate Power  
P
5.0  
W
W
A
GM  
(Pulse Width ≤ 1.0 ꢀ sec, T = 90°C)  
C
Forward Average Gate Power  
P
G(AV)  
0.5  
2.0  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
R12DCx = Device Code  
x= M or N  
(t = 8.3 msec, T = 90°C)  
C
Forward Peak Gate Current  
I
GM  
(Pulse Width ≤ 1.0 ꢀ sec, T = 90°C)  
C
G
= Pb−Free Package  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
−40 to 125  
−40 to 150  
°C  
°C  
J
T
stg  
PIN ASSIGNMENT  
Cathode  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1
2
3
4
Anode  
Gate  
1. V  
for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for zero  
DRM  
or negative gate voltage; positive gate voltage shall not be applied concurrent  
with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested  
with a constant current source such that the voltage ratings of the device are  
exceeded.  
Anode  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
February, 2006 − Rev. 5  
MCR12DCM/D  
 
12345

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MCR12DCMT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6509G LITTELFUSE

类似代替

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BT300S-600R,118 NXP

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