MCR106-8

更新时间： 2024-11-17 21:53:47

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摩托罗拉 - MOTOROLA		栅极触发装置可控硅整流器局域网
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4页	97K
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Silicon Controlled Rectifiers

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MCR106-8 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-225AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.14	其他特性：	SENSITIVE GATE
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	10 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	1 V	最大维持电流：	5 mA
JEDEC-95代码：	TO-225AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	最大漏电流：	0.2 mA
通态非重复峰值电流：	25 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电压：	2 V
最大通态电流：	4000 A	最高工作温度：	110 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

MCR106-8 数据手册

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by MCR106/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Reverse Blocking Triode Thyristors

*Motorola preferred devices

except MCR106–3

PNPN devices designed for high volume consumer applications such as

temperature, light and speed control; process and remote control, and warning

systems where reliability of operation is important.

SCRs

•

Glass-Passivated Surface for Reliability and Uniformity

Power Rated at Economical Prices

Practical Level Triggering and Holding Characteristics

Flat, Rugged, Thermopad Construction for Low Thermal Resistance, High Heat

Dissipation and Durability

4 AMPERES RMS

60 thru 600 VOLTS

CASE 77-08

(TO-225AA)

STYLE 2

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Rating

Symbol

Value

Unit

(1)

Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage

(T = 110°C, R = 1 kΩ)

Volts

DRM

and

MCR106-2

RRM

MCR106-3

MCR106-4

MCR106-6

MCR106-8

100

200

400

600

RMS Forward Current

(All Conduction Angles)

Amps

T(RMS)

Average Forward Current

2.55

T(AV)

= 93°C

= 30°C

Peak Non-repetitive Surge Current

Amps

TSM

(1/2 Cycle, 60 Hz, T = –40 to +110°C)

I t

A s

Circuit Fusing Considerations

(t = 8.3 ms)

2.6

Peak Gate Power

0.5

0.1

0.2

Watt

Amp

Volts

°C

Average Gate Power

G(AV)

Peak Forward Gate Current

Peak Reverse Gate Voltage

Operating Junction Temperature Range

RGM

–40 to +110

1. V

and V

for all types can be applied on a continuous basis. Ratings apply for zero or negative gate voltage;

RRM

(cont.)

DRM

however, positive gate voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages

shall not be tested with a constant current source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Motorola Thyristor Device Data

Motorola, Inc. 1995

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCR106-8-1	MOTOROLA	获取价格	4A, 600V, SCR, TO-225AA
MCR106-8-11	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-225AA
MCR106-8-12	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-225AA
MCR106-8-2	MOTOROLA	获取价格	4A, 600V, SCR, TO-225AA
MCR106-8-3	MOTOROLA	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-225AA
MCR106-8-5	MOTOROLA	获取价格	4A, 600V, SCR, TO-225AA
MCR106-8G	ONSEMI	获取价格	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
MCR106-8G	LITTELFUSE	获取价格	此硅控整流器PNPN设备专为高容量消费应用设计，例如温度、光线和速度控制；过程和远程控制；
MCR106-8-T60-K	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-126, TO-
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