MCR100-8

更新时间： 2024-11-19 22:46:19

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摩托罗拉 - MOTOROLA		触发装置可控硅整流器
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4页	85K
描述
Silicon Controlled Rectifiers(Reverse Blocking Triode Thyristors)

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MCR100-8 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.03	Is Samacsys：	N
其他特性：	SENSITIVE GATE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	5 mA	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	0.1 mA	通态非重复峰值电流：	10 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电压：	1.7 V	最大通态电流：	800 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	0.8 A	重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

MCR100-8 数据手册

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by MCR100/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Reverse Blocking Triode Thyristors

*Motorola preferred devices

PNPN devices designed for high volume, line-powered consumer applications such

as relay and lamp drivers, small motor controls, gate drivers for larger thyristors, and

sensing and detection circuits. Supplied in an inexpensive plastic TO-226AA package

which is readily adaptable for use in automatic insertion equipment.

SCRs

0.8 AMPERE RMS

100 thru 600 VOLTS

•

Sensitive Gate Trigger Current — 200 µA Maximum

Low Reverse and Forward Blocking Current — 100 µA Maximum, T = 125°C

Low Holding Current — 5 mA Maximum

Glass-Passivated Surface for Reliability and Uniformity

CASE 29-04

(TO-226AA)

STYLE 10

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)

Rating

Symbol

Value

Unit

(1)

Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage

(T = 25 to 125°C, R = 1 kΩ MCR100-3

Volts

DRM

and

100

200

400

600

MCR100-4

MCR100-6

MCR100-8

RRM

Forward Current RMS (See Figures 1 & 2)

(All Conduction Angles)

0.8

Amps

T(RMS)

Peak Forward Surge Current, T = 25°C

TSM

(1/2 Cycle, Sine Wave, 60 Hz)

I t

A s

Circuit Fusing Considerations

(t = 8.3 ms)

0.415

Peak Gate Power — Forward, T = 25°C

0.1

0.01

Watts

Watt

Amp

Average Gate Power — Forward, T = 25°C

GF(AV)

Peak Gate Current — Forward, T = 25°C

GFM

(300 µs, 120 PPS)

Peak Gate Voltage — Reverse

Operating Junction Temperature Range @ Rated V

Storage Temperature Range

Lead Solder Temperature

Volts

°C

GRM

and V

DRM

–40 to +125

–40 to +150

+230

RRM

°C

stg

—

°C

(

1/16 from case, 10 s max)

1. V

and V

for alltypes canbe appliedon a continuous basis. Ratings apply for zeroor negativegate voltage;however, positivegate

RRM

DRM

voltage shall not be applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages shall not be tested with a constant current

source such that the voltage ratings of the devices are exceeded.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

Motorola Thyristor Device Data

Motorola, Inc. 1995

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCR100-8(LS)	DIODES	获取价格	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR100-8A	YENYO	获取价格	Sensitive Gate / Silicon Controlled Rectifiers
MCR100-8A	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	0.8A SCR
MCR100-8-A1	TSC	获取价格	Thyristors
MCR100-8-A1G	TSC	获取价格	Thyristors
MCR100-8AA	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
MCR100-8AA(SOT-89)	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 600V V(DRM)
MCR100-8AA(TO-92)	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM)
MCR100-8AB	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
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