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MCR100-8

更新时间： 2024-11-25 14:53:55

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
4页	690K
描述
SOT-89-3L

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MCR100-8 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.05	Is Samacsys：	N
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	5 mA	最大漏电流：	0.01 mA
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
断态重复峰值电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

MCR100-8 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Thyristors

SOT-89-3L

MCR100- 6,- 8 Silicon Controlled Rectifier

1.KATHODE

2.ANODE

3.GATE

FEATURES

Current-I_GT: 200 µA

_TRMS: 0.8 A

RRM/ V_DRM: MCR100-6: 400 V

MCR100-8: 600 V

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃ unless otherwise specified）

Parameter

On state voltage

Symbol

Test conditions

I_TM=1A

V_AK=7V

Min

Max

1.7

Unit

V_TM

Gate trigger voltage

V_GT

0.8

Peak Repetitive forward and reverse

blocking voltage

V_DRM

_DRM= 10 µA

V_AK= Rated

AND

MCR100-6

400

600

V_RRM

MCR100-8

Peak forward or reverse blocking

Current

I_DRM

I_RRM

µA

or V_RRM

DRM

Holding current

I_H

I_HL= 20mA ,VAK = 7V

V_AK=7V

µA

Gate trigger current

I_GT

* Forward current applied for 1 ms maximum duration，duty cycle≤1%。

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.1

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCR100-8(LS)	DIODES	获取价格	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR100-8A	YENYO	获取价格	Sensitive Gate / Silicon Controlled Rectifiers
MCR100-8A	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	0.8A SCR
MCR100-8-A1	TSC	获取价格	Thyristors
MCR100-8-A1G	TSC	获取价格	Thyristors
MCR100-8AA	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
MCR100-8AA(SOT-89)	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 600V V(DRM)
MCR100-8AA(TO-92)	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM)
MCR100-8AB	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
MCR100-8AB(TO-92)	UTC	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM)