5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP8,.25 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | Factory Lead Time： | 9 weeks |
| 风险等级： | 1.71 | Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 标称共模抑制比： | 90 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 3000 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 4.9 mm |
| 低-偏置： | YES | 低-失调： | NO |
| 微功率： | YES | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 包装方法： | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 功率： | NO |
| 电源： | 5 V | 可编程功率： | NO |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 标称压摆率： | 2.3 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 0.33 mA | 供电电压上限： | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 标称均一增益带宽： | 2800 kHz |
| 宽带： | NO | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MCP6L71T-E/SN | MICROCHIP |
类似代替  |
2 MHz, 150 μA Op Amps |
|
| MCP6L1T-E/MS | MICROCHIP |
类似代替 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
| MCP6L1T-E/OT | MICROCHIP |
功能相似 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCP6L1T-E/ST | MICROCHIP |
获取价格 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
| MCP6L2 | MICROCHIP |
获取价格 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
| MCP6L2T | MICROCHIP |
获取价格 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
| MCP6L2T-E/MS | MICROCHIP |
获取价格 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
| MCP6L2T-E/OT | MICROCHIP |
获取价格 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
| MCP6L2T-E/SL | MICROCHIP |
获取价格 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
| MCP6L2T-E/SN | MICROCHIP |
获取价格 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
| MCP6L2T-E/ST | MICROCHIP |
获取价格 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
| MCP6L4 | MICROCHIP |
获取价格 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
| MCP6L4T | MICROCHIP |
获取价格 |
2.8 MHz, 200 μA Op Amps |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
