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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 标称共模抑制比： | 100 dB | 最大输入失调电压： | 150 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 9.46 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.32 mm |
| 标称压摆率： | 0.08 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 供电电压上限： | 7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BICMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | MATTE TIN (SN) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽： | 190 kHz | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCP618T-I/SL | MICROCHIP |
获取价格 |
2.3V to 5.5V Micropower Bi-CMOS Op Amps |
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| MCP618T-I/SN | MICROCHIP |
获取价格 |
2.3V to 5.5V Micropower Bi-CMOS Op Amps |
|
| MCP618T-I/ST | MICROCHIP |
获取价格 |
2.3V to 5.5V Micropower Bi-CMOS Op Amps |
|
| MCP618-TP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| MCP618-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| MCP619 | MICROCHIP |
获取价格 |
2.3V TO 5.5V MICROPOWER BI - CMOS OP AMPS |
|
| MCP619-I/MS | MICROCHIP |
获取价格 |
2.3V to 5.5V Micropower Bi-CMOS Op Amps |
|
| MCP619-I/P | MICROCHIP |
获取价格 |
2.3V to 5.5V Micropower Bi-CMOS Op Amps |
|
| MCP619-I/SL | MICROCHIP |
获取价格 |
2.3V to 5.5V Micropower Bi-CMOS Op Amps |
|
| MCP619-I/SLVAO | MICROCHIP |
获取价格 |
Operational Amplifier, 4 Func, 150000uV Offset-Max, BICMOS, PDSO14 |
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