是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOLCC8,.11,20 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 0.65 | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构: | VOLTAGE-FEEDBACK | 标称共模抑制比: | 76 dB |
频率补偿: | YES | 最大输入失调电压: | 4500 µV |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 4.9 mm | 低-偏置: | NO |
低-失调: | NO | 微功率: | YES |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOLCC8,.11,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 功率: | NO |
电源: | 2/5 V | 可编程功率: | NO |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
标称压摆率: | 0.6 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 0.34 mA | 供电电压上限: | 7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 标称均一增益带宽: | 1000 kHz |
最小电压增益: | 25110 | 宽带: | NO |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MCP6002T-E/SN | MICROCHIP |
完全替代 |
1 MHz, Low-Power Op Amp | |
MCP6002T-I/SN | MICROCHIP |
类似代替 |
1 MHz, Low-Power Op Amp | |
MCP6002T-I/MS | MICROCHIP |
类似代替 |
1 MHz, Low-Power Op Amp |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MCP6002-E/SNVAO | MICROCHIP |
获取价格 |
Operational Amplifier, 2 Func, 4500uV Offset-Max, CMOS, PDSO8 | |
MCP6002-E/ST | MICROCHIP |
获取价格 |
1 MHz, Low-Power Op Amp | |
MCP6002ELT | MICROCHIP |
获取价格 |
1 MHz Bandwidth Low Power Op Amp | |
MCP6002EMS | MICROCHIP |
获取价格 |
1 MHz Bandwidth Low Power Op Amp | |
MCP6002EOT | MICROCHIP |
获取价格 |
1 MHz Bandwidth Low Power Op Amp | |
MCP6002EP | MICROCHIP |
获取价格 |
1 MHz Bandwidth Low Power Op Amp | |
MCP6002ESL | MICROCHIP |
获取价格 |
1 MHz Bandwidth Low Power Op Amp | |
MCP6002ESN | MICROCHIP |
获取价格 |
1 MHz Bandwidth Low Power Op Amp | |
MCP6002EST | MICROCHIP |
获取价格 |
1 MHz Bandwidth Low Power Op Amp | |
MCP6002I | MICROCHIP |
获取价格 |
1 MHz Bandwidth Low Power Op Amp |