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MCM69R819AZP8R

更新时间： 2024-09-30 20:26:03

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	367K
描述
256KX18 LATE-WRITE SRAM, 3.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

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MCM69R819AZP8R 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA,	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.54
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	3.5 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	长度：	22 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	BICMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

MCM69R819AZP8R 数据手册

Freescale Semiconductor, Inc.

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MCM69R737A/D

MCM69R737A

MCM69R819A

Advance Information

4M Late Write LVTTL

TheMCM69R737A/819Aisa4megabitsynchronouslatewritefaststaticRAM

designed to provide high performance in secondary cache and ATM switch,

Telecom, and other high speed memory applications. The MCM69R819A

organized as 256K words by 18 bits, and the MCM69R737A organized as 128K

words by 36 bits wide are fabricated in Motorola’s high performance silicon gate

BiCMOS technology.

The differential CK clock inputs control the timing of read/write operations of

the RAM. At the rising edge of the CK clock all addresses, write enables, and

synchronous selects are registered. An internal buffer and special logic enable

the memory to accept write data on the rising edge of the CK clock a cycle after

address and control signals. Read data is driven on the rising edge of the CK

clock also.

ZP PACKAGE

PBGA

CASE 999–01

The RAM uses LVTTL 3.3 V inputs and outputs.

The synchronous write and byte enables allow writing to individual bytes or the

entire word.

•

Byte Write Control

Single 3.3 V + 10%, – 5% Operation

LVTTL 3.3 V I/O (V

Asynchronous Output Enable

Boundary Scan (JTAG) IEEE 1149.1 Compatible

Differential Clock Inputs

Optional x 18 or x 36 organization

MCM69R737A/819A–5 = 5 ns

)

DDQ

MCM69R737A/819A–6 = 6 ns

MCM69R737A/819A–7 = 7 ns

MCM69R737A/819A–8 = 8 ns

•

Sleep Mode Operation (ZZ Pin)

119 Bump, 50 mil (1.27 mm) Pitch, 14 mm x 22 mm Plastic Ball Grid Array

(PBGA) Package

This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.

REV 1

8/13/97

Motorola, Inc. 1997

MOTOROLA FAST SRAM

MCM69R737A•MCM69R819A

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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MCM69R820AZP5R	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write 2.5 V I/O
MCM69R820AZP6	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write 2.5 V I/O
MCM69R820AZP6R	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write 2.5 V I/O
MCM69R820AZP7	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write 2.5 V I/O
MCM69R820AZP7R	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write 2.5 V I/O
MCM69R820AZP8	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write 2.5 V I/O
MCM69R820AZP8R	MOTOROLA	获取价格	4M Late Write 2.5 V I/O
MCM69R820C	FREESCALE	获取价格	4M Late Write 2.5 V I/O
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