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MCDA500-12O1

更新时间： 2024-11-07 05:11:31
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
12页 922K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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MCDA500-12O1 数据手册

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Date: 17.03.2005  
IXYS  
Data Sheet Issue: 2  
Thyristor/Diode Modules M## 500  
Absolute Maximum Ratings  
VRRM  
VDRM  
[V]  
MCC  
MCD  
MDC  
MCA  
MCK  
MCDA  
MDCA  
1200  
1400  
1600  
1800  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
500-12io1  
500-14io1  
500-16io1  
500-18io1  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
Repetitive peak off-state voltage 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage 1)  
Repetitive peak reverse voltage 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage 1)  
1200-1800  
1200-1800  
1200-1800  
1300-1900  
V
V
V
V
VDSM  
VRRM  
VRSM  
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
Maximum average on-state current, TC = 89°C 2)  
Maximum average on-state current. TC = 85°C 2)  
Maximum average on-state current. TC = 100°C 2)  
500  
545  
A
A
376  
A
IT(RMS)M Nominal RMS on-state current, TC = 55°C 2)  
1294  
1029  
16.5  
A
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
D.C. on-state current, TC = 55°C  
A
3)  
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
Peak non-repetitive surge tp = 10 ms, VRM £ 10V 3)  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
18.2  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM = 60%VRRM  
1.36×106  
1.66×106  
150  
3)  
I2t  
I2t capacity for fusing tp = 10 ms, VRM £ 10 V 3)  
Critical rate of rise of on-state current (repetitive) 4)  
(di/dt)cr  
Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive) 4)  
300  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
Peak reverse gate voltage  
5
Mean forward gate power  
4
W
Peak forward gate power  
30  
W
VISOL  
TVj op  
Tstg  
Isolation Voltage 5)  
3500  
-40 to +125  
-40 to +150  
V
Operating temperature range  
Storage temperature range  
°C  
°C  
Notes:  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tvj below 25°C.  
2) Single phase; 50 Hz, 180° half-sinewave.  
3) Half-sinewave, 125°C Tvj initial.  
4) VD = 67% VDRM, IFG = 2 A, tr £ 0.5µs, TC = 125°C.  
5) AC RMS voltage, 50 Hz, 1min test  
Rating Report. Types M##500-12io1 and M##500-18io1 Issue 2  
Page 1 of 11  
June, 2019  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCDA500-14I1 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier,
MCDA500-14IO1 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1294A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE
MCDA500-14IO1 LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1294A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE
MCDA500-16IO1 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1294A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE
MCDA500-16IO1 LITTELFUSE

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MCDA500-18O1 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier,
MCDA500-20I1 IXYS

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 		Trigger Device,

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