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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> MCD220-08IO1
MCD220-08IO1 PDF预览

MCD220-08IO1

更新时间： 2024-11-04 21:53:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 触发装置可控硅整流器二极管
页数 文件大小 规格书
4页 167K
描述
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules

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MCD220-08IO1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：MODULE包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
快速连接描述：G-GR螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：150 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X5
最大漏电流：40 mA通态非重复峰值电流：8500 A
元件数量：1端子数量：5
最大通态电流：250000 A最高工作温度：140 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：400 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

MCD220-08IO1 数据手册

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MCC 220  
MCD 220  
ITRMS = 2x 400 A  
ITAVM = 2x 250 A  
VRRM = 800-1600 V  
Thyristor Modules  
Thyristor/Diode Modules  
3
7
2
6
VRSM  
VDSM  
VRRM  
VDRM  
Type  
5
4
1
V
V
Version 1  
Version 1  
900  
800  
1200  
1400  
1600  
MCC 220-08io1  
MCC 220-12io1  
MCC 220-14io1  
MCC 220-16io1  
MCD 220-08io1  
MCD 220-12io1  
MCD 220-14io1  
MCD 220-16io1  
1300  
1500  
1700  
3
3
6 7 1  
5 4 2  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
MCC  
MCD  
ITRMS, IFRMS  
TVJ = TVJM  
TC = 85°C; 180° sine  
400  
250  
A
A
ITAVM FAVM  
, I  
1
5 4 2  
ITSM, IFSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
8500  
9000  
A
A
T
VJ = TVJM  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
7000  
7600  
A
A
VR = 0  
òi2dt  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
360 000  
336 000  
A2s  
A2s  
A2s  
A2s  
Features  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
245 000  
240 000  
●
International standard package  
Direct copper bonded Al2O3 -ceramic  
base plate  
●
(di/dt)cr  
TVJ = TVJM  
repetitive, IT = 750 A  
100  
A/ms  
f =50 Hz, tP =200 ms  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 1 A  
●
●
●
●
Planar passivated chips  
Isolation voltage 3600 V~  
UL registered, E 72873  
Keyed gate/cathode twin pins  
non repetitive, IT = 250 A  
VDR = 2/3 VDRM  
800  
A/ms  
V/ms  
diG/dt = 1 A/ms  
(dv/dt)cr  
PGM  
TVJ = TVJM  
;
1000  
Applications  
RGK = ¥; method 1 (linear voltage rise)  
●
Motor control  
Power converter  
Heat and temperature control for  
TVJ = TVJM  
IT = ITAVM  
tP = 30 ms  
tP = 500 ms  
120  
60  
W
W
W
●
●
PGAV  
VRGM  
20  
industrial furnaces and chemical  
processes  
Lighting control  
10  
V
●
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+140  
140  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
●
Contactless switches  
Advantages  
●
Space and weight savings  
Simple mounting  
Improved temperature and power  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 min  
t = 1 s  
3000  
3600  
V~  
V~  
●
IISOL £ 1 mA  
●
Md  
Mounting torque (M5)  
Terminal connection torque (M8)  
2.5-5/22-44 Nm/lb.in.  
12-15/106-132 Nm/lb.in.  
cycling  
Reduced protection circuits  
●
Weight  
Typical including screws  
320  
g
Data according to IEC 60747 and refer to a single thyristor/diode unless otherwise stated.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
1234

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