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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> MCC56-14IO1
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MCC56-14IO1

更新时间： 2024-11-06 03:50:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 可控硅二极管
页数 文件大小 规格书
4页 178K
描述
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules

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MCC56-14IO1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：TransferredReach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.59
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS最大直流栅极触发电流：100 mA
最大直流栅极触发电压：1.6 V快速连接描述：2G-2GR
螺丝端子的描述：A-K-AK最大维持电流：200 mA
JEDEC-95代码：TO-240AAJESD-30 代码：R-PUFM-X7
最大漏电流：15 mA通态非重复峰值电流：1400 A
元件数量：2端子数量：7
最大通态电流：100000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：100 A断态重复峰值电压：1400 V
重复峰值反向电压：1400 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

MCC56-14IO1 数据手册

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MCC 56  
MCD 56  
MDC 56  
ITRMS = 2x 100 A  
ITAVM = 2x 64 A  
VRRM = 800-1800 V  
Thyristor Modules  
Thyristor/Diode Modules  
6
TO-240 AA  
3
7
VRSM VRRM  
VDSM VDRM  
Type  
4
2
5
1
V
V
Version 1  
Version 8  
900  
800 MCC 56-08io1 B MCD 56-08io1 B MCC 56-08io8 B MCD 56-08io8 B  
1300 1200 MCC 56-12io1 B MCD 56-12io1 B MCC 56-12io8 B MCD 56-12io8 B  
1500 1400 MCC 56-14io1 B -- MCC 56-14io8 B MCD 56-14io8 B  
1700 1600 MCC 56-16io1 B MCD 56-16io1 B MCC 56-16io8 B MCD 56-16io8 B  
3
3
6 7 1  
5 4 2  
1900 1800 MCC 56-18io1 B  
--  
MCC 56-18io8 B MCD 56-18io8 B  
MCC  
Version 1  
1500 1400 MCC 56-14io1  
1700 1600 MCC 56-16io1  
700  
600  
MDC 56-06io1 B  
1
5 4 2  
MCD  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Version 1  
ITRMS, IFRMS  
ITAVM, IFAVM  
TVJ = TVJM  
TC = 83°C; 180° sine  
TC = 85°C; 180° sine  
100  
64  
60  
A
A
A
3
3
6
1
1
5
5
2
2
MCC  
Version 8  
ITSM, IFSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1500  
1600  
A
A
T
VJ = TVJM  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1350  
1450  
A
A
VR = 0  
MCD  
Version 8  
òi2dt  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
11 200  
10 750  
A2s  
A2s  
3
6 7 1  
2
T
VJ = TVJM  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
9100  
8830  
A2s  
A2s  
VR = 0  
MDC  
Version 1  
(di/dt)cr  
TVJ = TVJM  
repetitive, IT = 150 A  
150  
A/ms  
f =50 Hz, tP =200 ms  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 0.45 A  
Features  
non repetitive, IT = ITAVM  
VDR = 2/3 VDRM  
500  
A/ms  
V/ms  
●
International standard package,  
JEDEC TO-240 AA  
Direct copper bonded Al2O3 -ceramic  
base plate  
diG/dt = 0.45 A/ms  
●
(dv/dt)cr  
PGM  
TVJ = TVJM  
;
1000  
RGK = ¥; method 1 (linear voltage rise)  
●
●
●
●
Planar passivated chips  
Isolation voltage 3600 V~  
UL registered, E 72873  
TVJ = TVJM  
IT = ITAVM  
tP = 30 ms  
tP = 300 ms  
10  
5
W
W
W
Gate-cathode twin pins for version 1B  
PGAV  
VRGM  
0.5  
10  
V
Applications  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+125  
125  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
●
DC motor control  
Softstart AC motor controller  
Light, heat and temperature control  
●
●
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 min  
t = 1 s  
3000  
3600  
V~  
V~  
IISOL £ 1 mA  
Advantages  
Md  
Mounting torque (M5)  
Terminal connection torque (M5)  
2.5-4.0/22-35 Nm/lb.in.  
2.5-4.0/22-35 Nm/lb.in.  
●
Space and weight savings  
Simple mounting with two screws  
Improved temperature and power  
●
●
Weight  
Typical including screws  
90  
g
cycling  
Reduced protection circuits  
Data according to IEC 60747 and refer to a single thyristor/diode unless otherwise stated.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
●
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCC56-14IO1B IXYS

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 		Thyristor Modules /Diode Modules
MCC56-14IO1B LITTELFUSE

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 		双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCC56-14IO8 LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 1400V V(RRM),
MCC56-14IO8B IXYS

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