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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> MCC224-22IO1
MCC224-22IO1 PDF预览

MCC224-22IO1

更新时间： 2024-11-04 22:46:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极触发装置可控硅整流器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 102K
描述
Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules

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MCC224-22IO1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：MODULE包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED标称电路换相断开时间：200 µs
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：220 mA最大直流栅极触发电压：2 V
快速连接描述：2G-2GR螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：150 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X5
最大漏电流：40 mA通态非重复峰值电流：8000 A
元件数量：1端子数量：5
最大通态电流：240000 A最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：400 A断态重复峰值电压：2200 V
重复峰值反向电压：2200 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

MCC224-22IO1 数据手册

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MCC 224  
MCD 224  
ITRMS = 2x 400 A  
ITAVM = 2x 240 A  
VRRM = 2000-2200 V  
Thyristor Modules  
Thyristor/Diode Modules  
3
7
6
5
2
4
VRSM  
VDSM  
V
VRRM  
VDRM  
V
Type  
1
2100  
2300  
2000  
2200  
MCC 224-20io1  
MCC 224-22io1  
MCD 224-20io1  
MCD 224-22io1  
3
3
6 7 1  
5 4 2  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
MCC  
MCD  
400  
240  
ITRMS  
ITAVM  
TVJ = TVJM  
TC = 85°C; 180° sine  
A
A
1
5 4 2  
ITSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz)  
t = 8.3 ms (60 Hz)  
8000  
8500  
A
A
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz)  
t = 8.3 ms (60 Hz)  
A
A
7000  
7500  
òi2dt  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz)  
t = 8.3 ms (60 Hz)  
A2s  
A2s  
320000  
303000  
Features  
A2s  
A2s  
245000  
240000  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz)  
t = 8.3 ms (60 Hz)  
●
International standard package  
Direct Copper Bonded Al2O3-ceramic  
with copper base plate  
●
(di/dt)cr  
TVJ = TVJM  
f = 50 Hz, tP = 200 ms  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 1 A  
repetitive,  
IT = 750 A  
100  
A/ms  
●
●
●
●
Planar passivated chips  
Isolation voltage 3600 V~  
UL registered E 72873  
non repetitive, IT = ITAVM  
500  
A/ms  
V/ms  
diG/dt = 1 A/ms  
Keyed gate/cathode twin pins  
1000  
(dv/dt)cr  
PGM  
TVJ = TVJM; VDR = 2/3 VDRM  
RGK = ¥; method 1 (linear voltage rise)  
Applications  
TVJ = TVJM  
IT = ITAVM  
tP = 30 ms  
tP = 500 ms  
W
W
W
120  
60  
20  
●
Motor control, softstarter  
Power converter  
Heat and temperature control for  
PGAV  
VRGM  
●
10  
V
●
-40 ...130  
130  
-40 ...125  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
°C  
°C  
°C  
industrial furnaces and chemical  
processes  
Lighting control  
●
●
Solid state switches  
3000  
3600  
VISOL  
50/60 Hz, RMS t = 1 min  
IISOL £ 1 mA t = 1 s  
V~  
V~  
4.5-7/40-62  
11-13/97-115  
750  
Md  
Mounting torque (M6)  
Terminal connection torque (M8)  
Typical including screws  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
g
Advantages  
Weight  
●
Simple mounting  
●
Improved temperature and power  
cycling  
Reduced protection circuits  
●
Data according to IEC 60747 and refer to a single thyristor/diode unless otherwise stated.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
1234

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与MCC224-22IO1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCC224-24IO1 LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 400A I(T)RMS, 240000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 2 E
MCC224-24IO1 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 400A I(T)RMS, 240000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 2 E
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 		Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
MCC225-12IO1 IXYS

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 		Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules
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 		双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
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