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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6045
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2N6045

更新时间： 2024-02-19 05:55:02
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 453K
描述
NPN Silicon Power Darlington Transistor

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2N6045 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：75 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

2N6045 数据手册

 浏览型号2N6045的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2N6045  
Micro Commercial Components  
GENERAL DESCRIPTION  
Silicon NPN medium power Darlington transistors in a plastic envelope, primarily for  
use in low-speed switching and general purpose.  
·
·
NPN  
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Silicon Power  
·
·
Darlington Transistor  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL  
VCESM  
VCEO  
IC  
PARAMETER  
Collector-emitter voltage peak value  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
CONDITION  
MIN  
100  
100  
8.0  
16  
MAX UNIT  
VBE=0V  
V
V
TO-220  
C
B
A
S
F
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
A
Tmb<=25oC  
Q
PTOT  
75  
W
T
IC=8A;  
VCEsat  
Collector -emitter saturation voltage  
4.0  
V
A
IB=0.08A  
U
Icsat  
Collector saturation current  
Emitter forward voltage  
A
V
1
2
3
IE=8A  
VBE  
H
IC=3.0A;  
t
f
Fall time  
IB1=-IB2=0.3A;  
VCC=30V  
us  
K
LIMITING VALUES  
V
L
J
SYMBOL  
VCESM  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
MAX UNIT  
D
R
G
Collector-emitter voltage peak value VBE=0V  
Collector-emitter voltage (open base)  
Emitter-base voltage (open collector)  
Collector current (DC)  
100  
100  
5
V
V
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
BASE  
COLLECTOR  
EMITTER  
N
V
DIMENSIONS  
8
A
INCHES  
MM  
MIN  
14.22  
9.65  
MAX  
15.88  
10.67  
NOTE  
DIM  
MIN  
MAX  
.625  
IB  
Base current(DC)  
0.12  
A
A
B
C
.560  
.380  
.140  
.420  
.190  
IBM  
Base current peak value  
A
3.56  
4.82  
Tmb<=25oC  
W
oC  
oC  
PTOT  
Tstg  
Total power dissipation  
75  
D
F
.020  
.139  
.190  
---  
.045  
.161  
.110  
.250  
.025  
0.51  
3.53  
2.29  
---  
1.14  
4.09  
2.79  
6.35  
0.64  
Storage temperature  
Junction temperature  
-60  
-60  
150  
150  
G
H
J
Tj  
.012  
0.30  
K
L
.500  
.045  
.580  
.060  
12.70  
1.14  
14.73  
1.52  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
N
.190  
.210  
4.83  
5.33  
Q
R
S
T
U
V
.100  
.080  
.045  
.230  
-----  
.135  
.115  
.055  
.270  
.050  
-----  
2.54  
2.04  
1.14  
5.84  
-----  
3.43  
2.92  
1.39  
6.86  
1.27  
-----  
SYMBOL  
ICBO  
PARAMETER  
Collector-base cut-off current  
Emitter-base cut-off current  
CONDITION  
VCB=100V  
VEB =5V  
MIN  
MAX UNIT  
20  
2.0  
uA  
mA  
V
IEBO  
V(BR)CEO  
VCEsat1  
VCEsat2  
hFE1  
hFE2  
fT  
Collector-emitter breakdown voltage IC=100mA  
Collector-emitter saturation voltage IC=3.0A,IB=12mA  
Collector-emitter saturation voltage IC=8A,IB=80mA  
100  
2.0  
V
.045  
1.15  
4.0  
V
DC current gain  
DC current gain  
Transition frequency at f=1MHz  
Collector capacitance at f=1MHz  
On times  
IC=3A,VCE=4V  
IC=8A,VCE=4V  
IC=0.5A,VCE=4V  
VCB=10V  
1000 20000  
100  
MHz  
pF  
us  
CC  
tON  
IC=3A,IB=0.3A,  
VCC=30V  
tS  
tF  
Turn-off storage time  
Fall time  
IC=3A,IB=0.3A,  
VCC=30V  
IC=3A,IB=0.3A,  
VCC=30V  
us  
us  
Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 2  
12

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