是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.7 | 基于收集器的最大容量: | 4 pF |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 50 | JEDEC-95代码: | TO-92 |
JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 250 MHz |
VCEsat-Max: | 0.3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N4123-AMMO | NXP | TRANSISTOR 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal |
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2N4123-AP | MCC | 暂无描述 |
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2N4123-B | MCC | 暂无描述 |
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2N4123-BP | MCC | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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2N4123-BP-HF | MCC | Small Signal Bipolar Transistor, |
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2N4123D26Z | FAIRCHILD | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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