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MC74VHCT08AMG

更新时间： 2024-11-05 05:22:07
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安森美 - ONSEMI 栅
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6页 95K
描述
Quad 2−Input AND Gate

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MC74VHCT08AMG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP14,.3
针数：14Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.29
系列：AHCT/VHCTJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e4长度：10.2 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：AND GATE
最大I（ol）：0.008 A湿度敏感等级：3
功能数量：4输入次数：2
端子数量：14最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP14,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：RAIL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 VProp。Delay @ Nom-Sup：9 ns
传播延迟（tpd）：14 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：2.05 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：5.275 mmBase Number Matches：1

MC74VHCT08AMG 数据手册

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MC74VHCT08A  
Quad 2−Input AND Gate  
The MC74VHCT08A is an advanced high speed CMOS 2−input  
AND gate fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves  
high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL  
while maintaining CMOS low power dissipation.  
The VHCT inputs are compatible with TTL levels. This device can  
be used as a level converter for interfacing 3.3 V to 5.0 V, because it  
has full 5.0 V CMOS level output swings.  
The VHCT08A input structures provide protection when voltages  
between 0 V and 5.5 V are applied, regardless of the supply voltage.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
The output structures also provide protection when V = 0 V. These  
CC  
14  
1
input and output structures help prevent device destruction caused by  
supply voltage − input/output voltage mismatch, battery backup, hot  
insertion, etc.  
The internal circuit is composed of three stages, including a buffer  
output which provides high noise immunity and stable output. The  
inputs tolerate voltages up to 7.0 V, allowing the interface of 5.0 V  
systems to 3.0 V systems.  
SOIC−14  
D SUFFIX  
CASE 751A  
VHCT08AG  
AWLYWW  
1
14  
VHCT  
08A  
TSSOP−14  
DT SUFFIX  
CASE 948G  
Features  
ALYWG  
1
G
• High Speed: t = 4.3 ns (Typ) at V = 5 V  
PD  
CC  
1
• Low Power Dissipation: I = 2 mA (Max) at T = 25°C  
CC  
A
• TTL−Compatible Inputs: V = 0.8 V; V = 2.0 V  
IL  
IH  
14  
• Power Down Protection Provided on Inputs  
• Balanced Propagation Delays  
SOEIAJ−14  
M SUFFIX  
CASE 965  
VHCT08  
ALYWG  
• Designed for 2 V to 5.5 V Operating Range  
1
• Low Noise: V  
= 0.8 V (Max)  
1
OLP  
• Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families  
• Latchup Performance Exceeds 300 mA  
• ESD Performance: Human Body Model; > 2000 V,  
Machine Model; > 200 V  
A
WL, L  
Y, YY  
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
WW, W = Work Week  
• Chip Complexity: 24 FETs or 6 Equivalent Gates  
• Pb−Free Packages are Available*  
G or G = Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 5  
MC74VHCT08A/D  
123456

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