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MC74VHCT08ADR2G

更新时间： 2024-09-27 05:22:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅
页数 文件大小 规格书
6页 95K
描述
Quad 2−Input AND Gate

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MC74VHCT08ADR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP14,.25针数：14
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：0.68系列：AHCT/VHCT
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e3
长度：8.65 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：AND GATE最大I（ol）：0.008 A
湿度敏感等级：1功能数量：4
输入次数：2端子数量：14
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP14,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：9 ns传播延迟（tpd）：14 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：1.75 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

MC74VHCT08ADR2G 数据手册

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MC74VHCT08A  
Quad 2−Input AND Gate  
The MC74VHCT08A is an advanced high speed CMOS 2−input  
AND gate fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves  
high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL  
while maintaining CMOS low power dissipation.  
The VHCT inputs are compatible with TTL levels. This device can  
be used as a level converter for interfacing 3.3 V to 5.0 V, because it  
has full 5.0 V CMOS level output swings.  
The VHCT08A input structures provide protection when voltages  
between 0 V and 5.5 V are applied, regardless of the supply voltage.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
The output structures also provide protection when V = 0 V. These  
CC  
14  
1
input and output structures help prevent device destruction caused by  
supply voltage − input/output voltage mismatch, battery backup, hot  
insertion, etc.  
The internal circuit is composed of three stages, including a buffer  
output which provides high noise immunity and stable output. The  
inputs tolerate voltages up to 7.0 V, allowing the interface of 5.0 V  
systems to 3.0 V systems.  
SOIC−14  
D SUFFIX  
CASE 751A  
VHCT08AG  
AWLYWW  
1
14  
VHCT  
08A  
TSSOP−14  
DT SUFFIX  
CASE 948G  
Features  
ALYWG  
1
G
• High Speed: t = 4.3 ns (Typ) at V = 5 V  
PD  
CC  
1
• Low Power Dissipation: I = 2 mA (Max) at T = 25°C  
CC  
A
• TTL−Compatible Inputs: V = 0.8 V; V = 2.0 V  
IL  
IH  
14  
• Power Down Protection Provided on Inputs  
• Balanced Propagation Delays  
SOEIAJ−14  
M SUFFIX  
CASE 965  
VHCT08  
ALYWG  
• Designed for 2 V to 5.5 V Operating Range  
1
• Low Noise: V  
= 0.8 V (Max)  
1
OLP  
• Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families  
• Latchup Performance Exceeds 300 mA  
• ESD Performance: Human Body Model; > 2000 V,  
Machine Model; > 200 V  
A
WL, L  
Y, YY  
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
WW, W = Work Week  
• Chip Complexity: 24 FETs or 6 Equivalent Gates  
• Pb−Free Packages are Available*  
G or G = Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 5  
MC74VHCT08A/D  
123456

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