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MC74VHC00DR2G PDF预览

MC74VHC00DR2G

更新时间： 2024-01-18 22:35:36
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 93K
描述
Quad 2−Input NAND Gate

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MC74VHC00DR2G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：LEAD FREE, SOIC-14针数：14
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.85
Is Samacsys：N系列：AHC/VHC
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e3
长度：8.65 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：NAND GATE最大I（ol）：0.008 A
湿度敏感等级：1功能数量：4
输入次数：2端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP14,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2/5.5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：9.5 ns传播延迟（tpd）：14.5 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：1.75 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

MC74VHC00DR2G 数据手册

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MC74VHC00  
Quad 2−Input NAND Gate  
The MC74VHC00 is an advanced high speed CMOS 2−input  
NAND gate fabricated with silicon gate CMOS technology. It  
achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky  
TTL while maintaining CMOS low power dissipation.  
The internal circuit is composed of three stages, including a buffer  
output which provides high noise immunity and stable output. The  
inputs tolerate voltages up to 7 V, allowing the interface of 5 V  
systems to 3 V systems.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
14  
1
Features  
VHC00G  
AWLYWW  
• High Speed: t = 3.7 ns (Typ) at V = 5 V  
PD  
CC  
SO−14  
D SUFFIX  
CASE 751A  
• Low Power Dissipation: I = 2 mA (Max) at T = 25°C  
CC  
A
• High Noise Immunity: V  
= V  
= 28% V  
NIL CC  
NIH  
• Power Down Protection Provided on Inputs  
• Balanced Propagation Delays  
14  
• Designed for 2 V to 5.5 V Operating Range  
VHC  
00  
• Low Noise: V  
= 0.8 V (Max)  
OLP  
TSSOP−14  
DT SUFFIX  
CASE 948G  
ALYW G  
• Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families  
• Latchup Performance Exceeds 300 mA  
G
1
• ESD Performance: HBM > 2000 V; Machine Model > 200 V  
• Chip Complexity: 32 FETs or 8 Equivalent Gates  
• Pb−Free Packages are Available  
14  
74VHC00  
ALYWG  
V
B4  
13  
A4  
12  
Y4  
11  
B3  
10  
A3  
9
Y3  
8
CC  
EIAJ SO−14  
M SUFFIX  
CASE 965  
14  
1
A
= Assembly Location  
= Year  
L, WL = Wafer Lot  
Y
W, WW = Work Week  
1
2
3
4
5
6
7
G, G  
= Pb−Free Device  
A1  
B1  
Y1  
A2  
B2  
Y2 GND  
Figure 1. Pinout: 14−Lead Packages  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
(Top View)  
FUNCTION TABLE  
Inputs  
Output  
Y
A
B
L
L
L
H
L
H
H
H
L
H
H
H
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 5  
MC74VHC00/D  
123456

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