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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP14,.25 |
| 针数： | 14 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.44 |
| 系列： | HC/UH | JESD-30 代码： | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 8.65 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | INVERTER |
| 最大I（ol）： | 0.004 A | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 6 | 输入次数： | 1 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP14,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 包装方法： | RAIL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2/6 V | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 22 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 110 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 子类别： | Gates | 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MC74HC04ADR2G | ONSEMI |
完全替代  |
Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
| 74HC04DR2G | ONSEMI |
类似代替 |
Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
| MM74HC04MX | FAIRCHILD |
功能相似 |
Hex Inverter |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MC74HC04ADR2 | ONSEMI |
获取价格 |
HEX INVERTER |
|
| MC74HC04ADR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
| MC74HC04ADT | MOTOROLA |
获取价格 |
Hex Inverter |
|
| MC74HC04ADT | ONSEMI |
获取价格 |
HEX INVERTER |
|
| MC74HC04ADTR2 | ONSEMI |
获取价格 |
HEX INVERTER |
|
| MC74HC04ADTR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
| MC74HC04AF | ONSEMI |
获取价格 |
Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
| MC74HC04AFEL | ONSEMI |
获取价格 |
Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
| MC74HC04AFELG | ONSEMI |
获取价格 |
Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
| MC74HC04AFG | ONSEMI |
获取价格 |
Hex Inverter High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
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