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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP14,.25 |
| 针数： | 14 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 6.93 | 系列： | HC/UH |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G14 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 8.65 mm | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE | 最大I（ol）： | 0.004 A |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 4 |
| 输入次数： | 2 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP14,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 包装方法： | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 2/6 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 22 ns | 传播延迟（tpd）： | 110 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MM74HC00M | ONSEMI |
类似代替  |
四路2输入NAND门 |
|
| MC74HC00ADR2G | ONSEMI |
类似代替 |
Quad 2-Input NAND Gate |
|
| MC74HC00ADG | ONSEMI |
类似代替 |
Quad 2-Input NAND Gate |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MC74HC00ADR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Quad 2-Input NAND Gate |
|
| MC74HC00ADT | MOTOROLA |
获取价格 |
Quad 2-Input NAND Gate |
|
| MC74HC00ADT | ONSEMI |
获取价格 |
Quad 2-Input NAND Gate |
|
| MC74HC00ADTR2 | ONSEMI |
获取价格 |
Quad 2-Input NAND Gate |
|
| MC74HC00ADTR2 | ROCHESTER |
获取价格 |
NAND Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, PDSO14, LEAD FREE, TSSOP-14 |
|
| MC74HC00ADTR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Quad 2−Input NAND Gate High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
| MC74HC00AF | ONSEMI |
获取价格 |
Quad 2−Input NAND Gate High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
| MC74HC00AFEL | ONSEMI |
获取价格 |
Quad 2−Input NAND Gate High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
| MC74HC00AFELG | ONSEMI |
获取价格 |
Quad 2−Input NAND Gate High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
| MC74HC00AFG | ONSEMI |
获取价格 |
Quad 2−Input NAND Gate High−Performance Silicon−Gate CMOS |
|
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