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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.89 |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 子类别： | Gates |
| 表面贴装： | NO | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MC6601 | FREESCALE | N & P-Channel 32-V (D-S) MOSFET High performance trench technology |
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|
| MC6602 | FREESCALE | N & P-Channel 32-V (D-S) MOSFET High performance trench technology |
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|
| MC6604 | FREESCALE | N & P-Channel 20-V (D-S) MOSFET High performance trench technology |
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|
| MC660L | MOTOROLA | NAND Gate, CDIP14 |
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| MC660P | ETC | INTEGRATED CIRCUITS |
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|
| MC660PS | MOTOROLA | NAND Gate, PDIP14 |
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