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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.08 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 7 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MC1413BDG | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays |
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| MC1413BDR2 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays |
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| MC1413BDR2G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays |
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| MC1413BP | ROCHESTER |
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0.5A, 50V, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 648-08, DIP-16 |
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| MC1413BP | ONSEMI |
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PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
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| MC1413BP | MOTOROLA |
获取价格 |
PERIPHERAL DRIVER ARRAYS |
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| MC1413BPG | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays |
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| MC1413BPG | ROCHESTER |
获取价格 |
0.5A, 50V, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 648-08, DIP-16 |
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| MC1413D | ROCHESTER |
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0.5A, 50V, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 751B-05, SOIC-16 |
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| MC1413D | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays |
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