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MC14106BDT PDF预览

MC14106BDT

更新时间： 2024-11-22 22:36:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 触发器
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
Hex Schmitt Trigger

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MC14106BDT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP, TSSOP14,.25
针数：14Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.36
系列：4000/14000/40000JESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e4长度：5 mm
逻辑集成电路类型：INVERTER湿度敏感等级：1
功能数量：6输入次数：1
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：RAIL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5/15 VProp。Delay @ Nom-Sup：250 ns
传播延迟（tpd）：250 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：YES座面最大高度：1.2 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：18 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4.4 mmBase Number Matches：1

MC14106BDT 数据手册

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The MC14106B hex Schmitt Trigger is constructed with MOS  
P–channel and N–channel enhancement mode devices in a single  
monolithic structure. These devices find primary use where low power  
dissipation and/or high noise immunity is desired. The MC14106B  
may be used in place of the MC14069UB hex inverter for enhanced  
noise immunity or to “square up” slowly changing waveforms.  
http://onsemi.com  
• Increased Hysteresis Voltage Over the MC14584B  
• Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc  
• Capable of Driving Two Low–power TTL Loads or One Low–power  
Schottky TTL Load Over the Rated Temperature Range  
MARKING  
DIAGRAMS  
14  
PDIP–14  
P SUFFIX  
CASE 646  
MC14106BCP  
AWLYYWW  
• Pin–for–Pin Replacement for CD40106B and MM74C14  
• Can Be Used to Replace the MC14584B or MC14069UB  
1
14  
SOIC–14  
D SUFFIX  
CASE 751A  
14106B  
AWLYWW  
MAXIMUM RATINGS (Voltages Referenced to V ) (Note 1.)  
SS  
1
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
14  
V
DD  
DC Supply Voltage Range  
–0.5 to +18.0  
TSSOP–14  
DT SUFFIX  
CASE 948G  
14  
106B  
ALYW  
V , V  
in out  
Input or Output Voltage Range  
(DC or Transient)  
–0.5 to V + 0.5  
V
DD  
I , I  
in out  
Input or Output Current  
(DC or Transient) per Pin  
±10  
mA  
1
A
= Assembly Location  
P
D
Power Dissipation,  
per Package (Note 2.)  
500  
mW  
WL or L = Wafer Lot  
YY or Y = Year  
WW or W = Work Week  
T
Ambient Temperature Range  
Storage Temperature Range  
–55 to +125  
–65 to +150  
260  
°C  
°C  
°C  
A
T
stg  
T
Lead Temperature  
(8–Second Soldering)  
ORDERING INFORMATION  
L
Device  
Package  
PDIP–14  
SOIC–14  
Shipping  
1. Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device  
may occur.  
2. Temperature Derating:  
MC14106BCP  
MC14106BD  
2000/Box  
55/Rail  
Plastic “P and D/DW” Packages: – 7.0 mW/ C From 65 C To 125 C  
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high  
static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid  
applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this  
MC14106BDR2  
MC14106BDT  
SOIC–14 2500/Tape & Reel  
96/Rail  
TSSOP–14  
high–impedancecircuit. For proper operation, V and V should be constrained  
in  
out  
MC14106BDTR2 TSSOP–14 2500/Tape & Reel  
to the range V  
(V or V  
)
V
DD  
.
SS  
in  
out  
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g.,  
either V or V ). Unused outputs must be left open.  
SS  
DD  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
March, 2000 – Rev. 3  
MC14106B/D  
12345678

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