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MC14070BCPDS PDF预览

MC14070BCPDS

更新时间： 2024-11-04 13:11:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 栅
页数 文件大小 规格书
4页 180K
描述
4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDIP14, 646-06

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MC14070BCPDS 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP14,.3针数：14
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.16系列：4000/14000/40000
JESD-30 代码：R-PDIP-T14JESD-609代码：e0
长度：18.86 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：XOR GATE功能数量：4
输入次数：2端子数量：14
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP14,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5/15 V传播延迟（tpd）：350 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：4.69 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：18 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

MC14070BCPDS 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Quad Exclusive “OR” and “NOR” Gates  
The MC14070B quad exclusive OR gate and the MC14077B quad  
exclusive NOR gate are constructed with MOS P–channel and N–channel  
enhancement mode devices in a single monolithic structure. These  
complementary MOS logic gates find primary use where low power  
dissipation and/or high noise immunity is desired.  
L SUFFIX  
CERAMIC  
CASE 632  
•
•
•
Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc  
All Outputs Buffered  
P SUFFIX  
PLASTIC  
CASE 646  
Capable of Driving Two Low–Power TTL Loads or One Low–Power  
Schottky TTL Load Over the Rated Temperature Range  
Double Diode Protection on All Inputs  
MC14070B — Replacement for CD4030B and CD4070B Types  
MC14077B — Replacement for CD4077B Type  
•
•
•
D SUFFIX  
SOIC  
MAXIMUM RATINGS* (Voltages Referenced to V  
)
SS  
CASE 751A  
Symbol  
Parameter  
DC Supply Voltage  
Value  
Unit  
V
V
DD  
– 0.5 to + 18.0  
ORDERING INFORMATION  
MC14XXXBCP  
MC14XXXBCL  
MC14XXXBD  
Plastic  
Ceramic  
SOIC  
V , V  
in out  
Input or Output Voltage (DC or Transient)  
– 0.5 to V  
DD  
+ 0.5  
V
I , I  
in out  
Input or Output Current (DC or Transient),  
per Pin  
± 10  
mA  
T
A
= – 55° to 125°C for all packages.  
P
D
Power Dissipation, per Package†  
Storage Temperature  
500  
mW  
C
T
stg  
– 65 to + 150  
260  
MC14070B  
QUAD Exclusive OR QUAD Exclusive NOR  
Gate Gate  
MC14077B  
T
L
Lead Temperature (8–Second Soldering)  
C
* Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.  
†Temperature Derating:  
Plastic “P and D/DW” Packages: – 7.0 mW/ C From 65 C To 125 C  
Ceramic “L” Packages: – 12 mW/ C From 100 C To 125 C  
1
1
3
4
3
2
5
2
5
20 ns  
20 ns  
4
V
V
V
DD  
6
8
DD  
6
8
90%  
50%  
10%  
10  
11  
10  
11  
V
in  
I
SS  
DD  
9
12  
9
12  
1/f  
50% DUTY CYCLE  
V
in  
*
13  
13  
C
L
V
V
= PIN 14  
= PIN 7  
(BOTH DEVICES)  
DD  
SS  
* Inverted output on MC14077B only.  
Figure 1. Power Dissipation Test Circuit and Waveform  
20 ns  
20 ns  
V
DD  
PIN ASSIGNMENT  
V
DD  
90%  
50%  
10%  
PULSE  
GENERATOR  
IN 1  
IN 2  
1
2
3
4
14  
13  
12  
11  
V
DD  
A
INPUT  
*
V
V
IN 2  
#
SS  
A
D
D
t
t
PHL  
PLH  
C
L
OUT  
IN 1  
A
OH  
90%  
50%  
10%  
V
SS  
OUTPUT  
t
OUT  
OUT  
OUT  
B
D
C
V
OL  
IN 1  
5
6
10  
9
t
B
B
THL  
TLH  
* Inverted output on MC14077B only.  
#Connect unused input to V for MC14070B, to V  
IN 2  
IN 2  
C
for MC14077B.  
DD SS  
V
7
8
IN 1  
SS  
C
Figure 2. Switching Time Test Circuit and Waveforms  
REV 3  
1/94  
Motorola, Inc. 1995  
1234

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与MC14070BCPDS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MC14070BCPG ONSEMI

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 		CMOS SSI
MC14070BCPS MOTOROLA

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 		暂无描述
MC14070BD MOTOROLA

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 		CMOS SSI Quad Exclusive OR and NOR Gates
MC14070BD ONSEMI

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MC14070BF ROCHESTER

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 		4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDSO14, EIAJ, PLASTIC, SOIC-14
MC14070BFEL ONSEMI

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 		CMOS SSI
MC14070BFELG ONSEMI

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 		CMOS SSI Quad Exclusive OR and NOR Gates

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