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MC14069UBDG

更新时间： 2024-09-14 04:59:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
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7页 145K
描述
Hex Inverter

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MC14069UBDG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP14,.25
针数：14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.47
系列：4000/14000/40000JESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e3长度：8.65 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：INVERTER
湿度敏感等级：1功能数量：6
输入次数：1端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP14,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：RAIL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：125 ns传播延迟（tpd）：125 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：1.75 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：18 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

MC14069UBDG 数据手册

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MC14069UB  
Hex Inverter  
The MC14069UB hex inverter is constructed with MOS P−channel  
and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic  
structure. These inverters find primary use where low power  
dissipation and/or high noise immunity is desired. Each of the six  
inverters is a single stage to minimize propagation delays.  
http://onsemi.com  
Features  
MARKING  
DIAGRAMS  
• Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc  
• Capable of Driving Two Low−Power TTL Loads or One Low−Power  
Schottky TTL Load Over the Rated Temperature Range  
• Triple Diode Protection on All Inputs  
14  
PDIP−14  
P SUFFIX  
CASE 646  
MC14069UBCP  
AWLYYWWG  
• Pin−for−Pin Replacement for CD4069UB  
1
• Meets JEDEC UB Specifications  
• Pb−Free Packages are Available  
14  
1
SOIC−14  
D SUFFIX  
CASE 751A  
14069UG  
AWLYWW  
MAXIMUM RATINGS (Voltages Referenced to V  
)
SS  
Symbol  
Parameter  
Value  
−0.5 to +18.0  
Unit  
V
V
DC Supply Voltage Range  
14  
DD  
14  
069U  
ALYWG  
G
V , V  
Input or Output Voltage Range  
(DC or Transient)  
−0.5 to V + 0.5  
V
in out  
DD  
TSSOP−14  
DT SUFFIX  
CASE 948G  
I , I  
in out  
Input or Output Current  
(DC or Transient) per Pin  
±10  
mA  
1
P
Power Dissipation, per Package  
(Note 1)  
500  
mW  
D
14  
1
T
Ambient Temperature Range  
Storage Temperature Range  
−55 to +125  
−65 to +150  
260  
°C  
°C  
°C  
A
SOEIAJ−14  
F SUFFIX  
CASE 965  
MC14069UB  
ALYWG  
T
stg  
T
Lead Temperature  
(8−Second Soldering)  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Temperature Derating:  
Plastic “P and D/DW” Packages: – 7.0 mW/_C From 65_C To 125_C  
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high  
static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid  
applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this  
A
WL, L  
YY, Y  
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
WW, W = Work Week  
G or G  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
high−impedance circuit. For proper operation, V and V should be constrained  
in  
out  
to the range V v (V or V ) v V  
.
SS  
in  
out  
DD  
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level  
(e.g., either V or V ). Unused outputs must be left open.  
SS  
DD  
G
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
October, 2006 − Rev. 8  
MC14069UB/D  
 
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