是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DFN |
包装说明: | HVSON, SOLCC8,.08,20 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.53 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -3V TO -5.5V | 系列: | 10E |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 2 mm | 逻辑集成电路类型: | AND/NAND GATE |
功能数量: | 1 | 输入次数: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | HVSON | 封装等效代码: | SOLCC8,.08,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
包装方法: | TAPE AND REEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | -5.2 V | 最大电源电流(ICC): | 29 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 0.32 ns | 传播延迟(tpd): | 0.27 ns |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | NO |
座面最大高度: | 1 mm | 子类别: | Gates |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | ECL | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 2 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MC10EP08 | ONSEMI |
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Differential 2-Input XOR/XNOR | |
MC10EP08D | ONSEMI |
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Differential 2-Input XOR/XNOR | |
MC10EP08D | ROCHESTER |
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10E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, SOIC-8 | |
MC10EP08DG | ONSEMI |
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3.3 V / 5.0 V Differential 2-Input XOR/XNOR Gate, SOIC-8 Narrow Body, 98-TUBE | |
MC10EP08DR2 | ONSEMI |
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Differential 2-Input XOR/XNOR | |
MC10EP08DR2 | ROCHESTER |
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10E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, SOIC-8 | |
MC10EP08DR2G | ONSEMI |
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3.3 V / 5.0 V Differential 2-Input XOR/XNOR Gate, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL | |
MC10EP08DR2G | ROCHESTER |
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10E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 | |
MC10EP08DT | ONSEMI |
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Differential 2-Input XOR/XNOR | |
MC10EP08DTG | ONSEMI |
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3.3V / 5V ECL 2-Input Differential XOR/XNOR |