是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOIC-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 7.57 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -3V TO -5.5V |
系列: | 10E | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 4.9 mm |
逻辑集成电路类型: | AND/NAND GATE | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 输入次数: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
包装方法: | TAPE AND REEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | -5.2 V | 最大电源电流(ICC): | 29 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 0.32 ns | 传播延迟(tpd): | 0.27 ns |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | NO |
座面最大高度: | 1.75 mm | 子类别: | Gates |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | ECL | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MC10EP05DR2G | ONSEMI |
完全替代 |
3.3V / 5V ECL 2−Input Differential AND/NAND | |
MC10EP05DG | ONSEMI |
完全替代 |
3.3V / 5VECL 2-Input Differential AND/NAND | |
MC10EP05D | ONSEMI |
完全替代 |
2-Input Differential AND/NAND |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MC10EP05DR2G | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V / 5V ECL 2−Input Differential AND/NAND | |
MC10EP05DT | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V / 5VECL 2-Input Differential AND/NAND | |
MC10EP05DTG | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V / 5V ECL 2−Input Differential AND/NAND | |
MC10EP05DTR2 | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V / 5VECL 2-Input Differential AND/NAND | |
MC10EP05DTR2G | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V / 5V ECL 2−Input Differential AND/NAND | |
MC10EP05MNR4 | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V / 5V ECL 2−Input Differential AND/NAND | |
MC10EP05MNR4G | ONSEMI |
获取价格 |
3.3V / 5V ECL 2−Input Differential AND/NAND | |
MC10EP08 | ONSEMI |
获取价格 |
Differential 2-Input XOR/XNOR | |
MC10EP08D | ONSEMI |
获取价格 |
Differential 2-Input XOR/XNOR | |
MC10EP08D | ROCHESTER |
获取价格 |
10E SERIES, 2-INPUT XOR/XNOR GATE, PDSO8, SOIC-8 |