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MC10EL07DR2G

更新时间： 2024-11-24 05:10:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅极触发器逻辑集成电路石英晶振光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 145K
描述
5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR

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MC10EL07DR2G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.38
Is Samacsys：N其他特性：NECL MODE: VCC =0V WITH VEE = -4.2V TO -5.7V
系列：10ELJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
逻辑集成电路类型：XOR/XNOR GATE功能数量：1
输入次数：2端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：-5.2 V
最大电源电流（ICC）：17 mAProp。Delay @ Nom-Sup：0.435 ns
传播延迟（tpd）：0.395 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.75 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.7 V
最小供电电压 (Vsup)：4.2 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：ECL
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

MC10EL07DR2G 数据手册

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MC10EL07, MC100EL07  
5.0 VꢀECL  
2-Input XOR/XNOR  
The MC10EL/100EL07 is a 2-input XOR/XNOR gate. The device  
is functionally equivalent to the E107 device with higher performance  
capabilities. With propagation delays and output transition times  
significantly faster than the E107, the EL07 is ideally suited for those  
applications which require the ultimate in AC performance.  
The 100 Series contains temperature compensation.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS*  
Features  
• 260 ps Propagation Delay  
8
8
1
8
1
HEL07  
KEL07  
ALYW  
G
• ESD Protection: Human Body Model; > 1.0 KV  
ALYW  
Machine Model; > 100 V  
G
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
1
• PECL Mode Operating Range: V = 4.2 V to 5.7 V  
CC  
with V = 0 V  
EE  
• NECL Mode Operating Range: V = 0 V  
CC  
8
1
8
8
with V = −4.2 V to −5.7 V  
EE  
1
HL07  
ALYWG  
G
KL07  
ALYWG  
G
• Internal Input Pulldown Resistors  
• Meets or Exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test  
TSSOP−8  
DT SUFFIX  
CASE 948R  
1
• Moisture Sensitivity Level 1  
For Additional Information, see Application Note AND8003/D  
• Flammability Rating: UL 94 V−0 @ 0.125 in,  
Oxygen Index: 28 to 34  
• Transistor Count = 47 devices  
• Pb−Free Packages are Available  
1
4
1
4
DFN8  
MN SUFFIX  
CASE 506AA  
H = MC10  
L
Y
= Wafer Lot  
= Year  
V
8
7
K
= MC100  
NC 1  
CC  
4P = MC10  
2D = MC100  
W = Work Week  
M = Date Code  
G
A
= Assembly Location  
= Pb−Free Package  
D
2
3
Q
Q
0
1
(Note: Microdot may be in either location)  
*For additional marking information, refer to  
Application Note AND8002/D.  
6
D
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
NC 4  
5 V  
EE  
Figure 1. Logic Diagram and Pinout Assignment  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
December, 2006 − Rev. 6  
MC10EL07/D  
1234567...9

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MC10EL07DR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MC10EL07D ONSEMI

完全替代

 5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC10EL07DG ONSEMI

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 5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC10EL07DR2 ONSEMI

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 2-Input XOR/XNOR

与MC10EL07DR2G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MC10EL07DT ONSEMI

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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC10EL07DTG ONSEMI

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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC10EL07DTR2 ONSEMI

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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC10EL07DTR2G ONSEMI

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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC10EL07MNR4 ONSEMI

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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC10EL07MNR4G ONSEMI

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 		5.0 V ECL 2-Input XOR/XNOR
MC10EL11 ONSEMI

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 		1:2 Differential Fanout Buffer
MC10EL11_06 ONSEMI

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 		5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer
MC10EL11D ONSEMI

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 		5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer
MC10EL11DG ONSEMI

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 		5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer

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