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Datasheet > 逻辑 > 栅极> MC10E404FNR2
MC10E404FNR2 PDF预览

MC10E404FNR2

更新时间： 2024-10-31 04:59:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
4页 112K
描述
QUAD DIFFERENTIAL AND/NAND

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MC10E404FNR2 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QLCC包装说明：PLASTIC, LCC-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.44
Is Samacsys：N其他特性：NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -4.2V TO -5.7V
系列：10EJESD-30 代码：S-PQCC-J28
JESD-609代码：e0长度：11.505 mm
逻辑集成电路类型：AND/NAND GATE湿度敏感等级：1
功能数量：4输入次数：2
端子数量：28最高工作温度：85 °C
最低工作温度：输出特性：OPEN-EMITTER
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC28,.5SQ封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：-5.2 V
最大电源电流（ICC）：127 mAProp。Delay @ Nom-Sup：0.73 ns
传播延迟（tpd）：0.725 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：4.57 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.7 V
最小供电电压 (Vsup)：4.2 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：ECL
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：11.505 mmBase Number Matches：1

MC10E404FNR2 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The MC10E404/100E404 is a 4-bit differential AND/NAND device. The  
differential operation of the device makes it ideal for pulse shaping  
applications where duty cycle skew is critical. Special design techniques  
were incorporated to minimize the skew between the upper and lower  
level gate inputs.  
Because a negative 2-input NAND function is equivalent to a 2-input  
OR function, the differential inputs and outputs of the device also allow for  
its use as a fully differential 2 input OR/NOR function.  
QUAD DIFFERENTIAL  
AND/NAND  
The output RISE/FALL times of this device are significantly faster than  
most other standard ECLinPS devices resulting in an increased  
bandwidth.  
The differential inputs have clamp structures which will force the Q  
output of a gate in an open input condition to go to a LOW state. Thus,  
inputs of unused gates can be left open and will not affect the operation of  
the rest of the device. Note that the input clamp will take affect only if both  
inputs fall 2.5V below V  
.
CC  
• Differential D and Q  
• 700ps Max. Propagation Delay  
• High Frequency Outputs  
FN SUFFIX  
PLASTIC PACKAGE  
CASE 776-02  
• Extended 100E V  
Range of – 4.2V to – 5.46V  
• Internal 75kΩ Input Pulldown Resistors  
EE  
D a D a D b D b  
V
Q
Q
3
3
3
3
3
CCO  
21  
3
25  
24  
23  
22  
20  
19  
18  
D b  
26  
27  
28  
1
Q
Q
V
2
2
LOGIC DIAGRAM  
D b  
2
17  
16  
15  
14  
13  
12  
2
D a  
2
D a  
0
CC  
Q
Q
0
D a  
Pinout: 28-Lead PLCC  
0
V
Q
EE  
1
1
0
0
D b  
0
(Top View)  
0
D b  
0
D a  
2
2
Q
Q
Q
D b  
1
3
D a  
1
Q
Q
1
D a  
1
D b  
4
1
D b  
1
1
D b  
1
5
6
7
8
9
10  
11  
D a  
2
D a D a D b D b D a D a  
V
CCO  
1
1
0
0
0
0
Q
Q
2
D a  
2
* All V  
CC  
and V  
pins are tied together on the die.  
CCO  
D b  
2
2
D b  
2
PIN NAMES  
D a  
3
Pin  
Function  
Differential Data Inputs  
Differential Data Outputs  
Q
Q
3
D a  
3
D[0:4], D[0:4]  
Q[0:4], Q[0:4]  
D b  
3
3
D b  
3
FUNCTION TABLE  
Da  
Db  
Q
Da  
Db  
Q
L
L
H
H
L
H
L
L
L
L
L
L
H
H
L
H
L
L
H
H
H
H
H
H
12/93  
Motorola, Inc. 1996  
REV 2  
1234

中文翻译

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MC10E404FNR2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MC10E404FNR2G ONSEMI

完全替代

 5 V ECL Quad Differential AND/NAND
MC10E404FNG ONSEMI

完全替代

 5 V ECL Quad Differential AND/NAND
MC10E404FN ONSEMI

完全替代

 5 V ECL Quad Differential AND/NAND

与MC10E404FNR2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MC10E404FNR2G ONSEMI

获取价格

 		5 V ECL Quad Differential AND/NAND
MC10E411 ONSEMI

获取价格

 		1:9 DIFFERENTIAL ECL/PECL RAMBUS CLOCK BUFFER
MC10E411_06 ONSEMI

获取价格

 		5V ECL 1:9 Differential PECL/NECL RAMBus Clock Buffer
MC10E411FN ONSEMI

获取价格

 		5V ECL 1:9 Differential PECL/NECL RAMBus Clock Buffer
MC10E411FN MOTOROLA

获取价格

 		1:9 DIFFERENTIAL ECL/PECL RAMBUS CLOCK BUFFER
MC10E411FNG ONSEMI

获取价格

 		5V ECL 1:9 Differential PECL/NECL RAMBus Clock Buffer
MC10E411FNR2 ONSEMI

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 		5V ECL 1:9 Differential PECL/NECL RAMBus Clock Buffer
MC10E411FNR2G ONSEMI

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 		5V ECL 1:9 Differential PECL/NECL RAMBus Clock Buffer
MC10E416 ONSEMI

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 		QUINT DIFFERENTIAL LINE RECEIVER
MC10E416_06 ONSEMI

获取价格

 		5V ECL Quint Differential Line Receiver

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