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MC100LVEL05DR2G

更新时间： 2024-11-11 03:20:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 140K
描述
3.3V ECL 2-Input Differential AND/NAND

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MC100LVEL05DR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.28
其他特性：NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -3.0V TO -3.8V系列：100LVEL
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm逻辑集成电路类型：AND/NAND GATE
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：2端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：OPEN-EMITTER封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：-4.5 V最大电源电流（ICC）：26 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup：0.45 ns传播延迟（tpd）：0.44 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：1.75 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：3.8 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：ECL温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

MC100LVEL05DR2G 数据手册

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MC100LVEL05  
3.3VꢀECL 2-Input Differential  
AND/NAND  
Description  
The MC100LVEL05 is a 2-input differential AND/NAND gate. The  
device is functionally equivalent to the MC100EL05 device and  
operates from a 3.3 V supply voltage. With propagation delays and  
output transition times equivalent to the EL05, the LVEL05 is ideally  
suited for those applications which require the ultimate in AC  
performance at low voltage power supplies.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS*  
Because a negative 2-input NAND is equivalent to a 2-input OR  
function, the differential inputs and outputs of the device allows the  
LVEL05 to also be used as a 2-input differential OR/NOR gate.  
8
8
1
KVL05  
ALYW  
G
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
Features  
1
8
• 340 ps Propagation Delay  
• High Bandwidth Output Transitions  
• ESD Protection: >4 kV Human Body Model,  
>200 V Machine Model  
8
1
KV05  
ALYWG  
• The 100 Series Contains Temperature Compensation  
TSSOP−8  
DT SUFFIX  
CASE 948R  
G
1
• PECL Mode Operating Range: V = 3.0 V to 3.8 V  
CC  
with V = 0 V  
EE  
• NECL Mode Operating Range: V = 0 V  
CC  
with V = −3.0 V to −3.8 V  
EE  
• Internal Input Pulldown Resistors  
• Q Output will Default LOW with All Inputs Open or at V  
1
4
EE  
• Meets or Exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test  
• Moisture Sensitivity Level 1  
For Additional Information, see Application Note AND8003/D  
• Flammability Rating: UL 94 V−0 @ 0.125 in,  
Oxygen Index: 28 to 34  
DFN8  
MN SUFFIX  
CASE 506AA  
A
L
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
W = Work Week  
M = Date Code  
• Transistor Count = 69 devices  
• Pb−Free Packages are Available  
Y
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*For additional marking information, refer to  
Application Note AND8002/D.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
December, 2006 − Rev. 3  
MC100LVEL05/D  
12345678

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MC100LVEL05DR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MC100EL05D ONSEMI

完全替代

 5V ECL 2-Input Differential AND/NAND
MC100LVEL05DR2 ONSEMI

完全替代

 3.3V ECL 2-Input Differential AND/NAND
MC100LVEL05DG ONSEMI

完全替代

 3.3V ECL 2-Input Differential AND/NAND

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MC100LVEL05DT ONSEMI

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 		3.3V ECL 2-Input Differential AND/NAND
MC100LVEL05DTG ONSEMI

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 		3.3V ECL 2-Input Differential AND/NAND
MC100LVEL05DTR2 ONSEMI

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 		3.3V ECL 2-Input Differential AND/NAND
MC100LVEL05DTR2G ONSEMI

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 		3.3V ECL 2-Input Differential AND/NAND
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 		3.3V ECL 2-Input Differential AND/NAND
MC100LVEL05MNR4G ONSEMI

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 		3.3V ECL 2-Input Differential AND/NAND
MC100LVEL11 ONSEMI

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 		Low Voltage 1:2 Differential Fanout Buffer
MC100LVEL11_06 ONSEMI

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 		3.3V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer
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