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Datasheet > 信号电路 > 锁相环或频率合成电路> MC100EP140DG
MC100EP140DG PDF预览

MC100EP140DG

更新时间： 2024-02-14 09:05:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 信号电路锁相环或频率合成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 117K
描述
3.3V ECL Phase−Frequency Detector

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MC100EP140DG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：1.12其他特性：NECL MODE : VCC = 0V WITH VEE = -3V TO -3.6V
模拟集成电路 - 其他类型：PHASE DETECTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：1标称负供电电压 (Vsup)：-4.5 V
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：-4.5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：PLL or Frequency Synthesis Circuits
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：ECL100K温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

MC100EP140DG 数据手册

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MC100EP140  
3.3VꢀECL Phase−Frequency  
Detector  
Description  
The MC100EP140 is a three state phase frequency−detector  
intended for phase−locked loop applications which require a minimum  
amount of phase and frequency difference at lock. Since the part is  
designed with fully differential internal gates, the noise is reduced  
throughout the circuit, especially at high speeds. The basic operation  
of a Phase/Frequency Detector (PFD) is to “compare” an incoming  
signal (feedback) to a set reference signal. When the Reference (R)  
and Feedback (FB) inputs are unequal in frequency and/or phase, the  
differential UP (U) and DOWN (D) outputs will provide pulse streams  
which, when subtracted and integrated, provide an error voltage for  
control of a VCO. Detector states of operation are shown in the  
Figure 2 and the State Table.  
The typical output amplitude of the EP140 is 400 mV, allowing  
faster switching time and greater bandwidth. For proper operation, the  
input edge rate of the R and FB inputs should be less than 5 ns.  
More information on Phase Lock Loop operation and application  
can be found in AND8040.  
http://onsemi.com  
MARKING DIAGRAMS*  
8
SOIC−8  
D SUFFIX  
CASE 751  
KP140  
ALYW  
G
8
1
1
A
L
Y
= Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
W
G
*For additional marking information, refer to  
Application Note AND8002/D.  
The pinout is shown in Figure 1, the logic diagram in Figure 3, and  
the typical termination in Figure 5.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Features  
• 500 ps Typical Propagation Delay  
• Maximum Frequency > 2.1 GHz Typical  
• Fully Differential Internally  
• Advanced High Band Output Swing of 400 mV  
• Transfer Gain: 1.0 mV/Degree at 1.4 GHz  
1.2 mV/Degree at 1.0 GHz  
• Rise and Fall Time: 100 ps Typical  
• The 100 Series Contains Temperature Compensation  
• PECL Mode Operating Range: V = 3.0 V to 3.6 V  
CC  
with V = 0 V  
EE  
• NECL Mode Operating Range: V = 0 V  
CC  
with V = −3.0 V to −3.6 V  
EE  
• Open Input Default State  
• Pb−Free Packages are Available  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
November, 2006 − Rev. 9  
MC100EP140/D  
123456

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MC100EP140DG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MC100EP140DR2G ONSEMI

完全替代

 3.3V ECL Phase−Frequency Detector
MC100EP140DR2 ONSEMI

完全替代

 3.3VECL Phase-Frequency Detector
SY100EP140LZC MICREL

功能相似

 3.3V PECL/ECL DIFFERENTIAL PHASE-FREQUENCY DETECTOR

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MC100EP140DR2 ONSEMI

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 		3.3 V / 5 V ECL 9-Bit Shift Register
MC100EP142FA MICROCHIP

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 		3.3 V / 5 V ECL 9-Bit Shift Register
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