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MC-4516DA727-A75

更新时间： 2024-11-18 20:09:19

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	146K
描述
Synchronous DRAM Module, 16MX72, 5.4ns, MOS, 43.18 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168

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MC-4516DA727-A75 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.61
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	1207959552 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX72	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MC-4516DA727-A75 数据手册

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

MC-4516DA727

16M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE

REGISTERED TYPE

Description

The MC-4516DA727 is an 16,777,216 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module on which 18 pieces of

64M SDRAM : µPD4564441 are assembled.

This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-

mounting technology on the printed circuit board.

Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.

Features

• 16,777,216 words by 72 bits organization (ECC type)

• Clock frequency and Access time from CLK.

Part number

/CAS latency

CL = 3

Clock frequency

(MAX.)

Access time from CLK

(MAX.)

MC-4516DA727-A75

133 MHz

5.4 ns

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)

• Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)

• Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable /CAS latency (3)

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• All DQs have 10 Ω ±10 % of series resistor

• Single 3.3 V ±0.3 V power supply

• LVTTL compatible

• 4,096 refresh cycles/64 ms

• Burst termination by Burst Stop command and Precharge command

• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)

• Registered type

• Serial PD

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

1999

Document No. M14082EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published February 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

12 3 4 5 6 7...16

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