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MBV109T1 PDF预览

MBV109T1

更新时间： 2024-11-14 22:30:23
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 146K
描述
Silicon Epicap Diode

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MBV109T1 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Is Samacsys：N标称二极管电容：29 pF
二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE最小质量因数：200
子类别：Varactors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

MBV109T1 数据手册

 浏览型号MBV109T1的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Silicon Epicap Diode  
MMBV109LT1  
MBV109T1  
MV209  
26–32 pF  
VOLTAGE VARIABLE  
CAPACITANCE DIODES  
Designed for general frequency control and tuning applications;  
providing solid–state reliability in replacement of mechanical tuning  
methods.  
• High Q with Guaranteed Minimum Values at VHF Frequencies  
• Controlled and Uniform Tuning Ratio  
• Available in Surface Mount Package  
3
1
3
ANODE  
CATHODE  
1
2
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT– 23 (TO–236AB)  
MAXIMUMRATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
MMBV109LT1  
30  
Unit  
MBV109T1  
MV209  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V R  
I F  
Vdc  
mAdc  
200  
Device Dissipation  
@T A = 25°C  
P D  
280  
2.8  
200  
2.0  
+125  
200  
1.6  
mW  
mW/°C  
°C  
Derate above 25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
DEVICEMARKING  
T J  
T stg  
–55 to +150  
°C  
MBV109T1= J4A, MMBV109LT1 =M4A, MV209 = MV209  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25°C unless otherwise noted)  
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage  
( I R = 10 µ Adc)  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V (BR)R  
30  
—
—
Vdc  
Reverse Voltage Leakage Current  
( V R = 25Vdc)  
Diode Capacitance Temperature Coefficient  
(V R = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)  
I R  
—
—
—
0.1  
—
mAdc  
TC C  
300  
ppm/°C  
Q, Figure of  
Merit  
CR, Capacitance  
Ratio  
C T Diode Capacitance  
VR =3.0Vdc, f =1.0MHz  
pF  
V R = 3.0Vdc  
f = 50MHz  
C3 / C 25  
f=1.0MHz (Note 1)  
Device Type  
Min  
26  
Nom  
29  
Max  
32  
Min  
200  
Min  
5.0  
Max  
6.5  
MBV109T1, MMBV109LT1, MV209  
1. C R is the ratio of C t measured at 3 V dc divided by C t measured at 25 Vdc.  
MMBV109LT1 is also available in bulk packaging. Use MMBV109L as the device title to order this device in bulk.  
MBV109. MMBV109*. MV209*–1/2  
12

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与MBV109T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBV109T3 MOTOROLA

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 		VHF BAND, 29pF, 30V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, CASE 419-02, SC-70,
MBVA14400 ETC

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 		Mini Braking High Power Resistor Assemblies
MBVA19200 ETC

获取价格

 		Mini Braking High Power Resistor Assemblies
MBW1/2F RCD

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 		Flameproof 1/8W - 3W
MBW1/2F-122JBW RCD

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MBW1/2F-122JTW RCD

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 		Fixed Resistor - Fusible, 0.5W, 1200ohm, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, MELF, ROHS
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 		Fixed Resistor - Fusible, 0.5W, 0.12ohm, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, MELF, ROHS
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 		Flameproof 1/8W - 3W

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