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MBRS130LT3

更新时间： 2024-02-27 06:35:50
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 67K
描述
Schottky Power Rectifier(Surface Mount Power Package)

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MBRS130LT3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-214包装说明：R-PDSO-J2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：0.91其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：POWER配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.445 VJESD-30 代码：R-PDSO-J2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：40 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向电流：1000 µA
反向测试电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：J BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MBRS130LT3 数据手册

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by MBRS130LT3/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
Surface Mount Power Package  
. . . Employs the Schottky Barrier principle in a large area metal–to–silicon  
power diode. State–of–the–art geometry features epitaxial construction with  
oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage,  
high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes,  
in surface mount applications where compact size and weight are critical to  
the system.  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
1.0 AMPERE  
30 VOLTS  
•
•
•
•
Very Low Forward Voltage Drop (0.395 Volts Max @ 1.0 A, T = 25°C)  
Small Compact Surface Mountable Package with J–Bend Leads  
Highly Stable Oxide Passivated Junction  
Guardring for Stress Protection  
J
Mechanical Characteristics  
•
•
•
Case: Epoxy, Molded  
Weight: 95 mg (approximately)  
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are  
Readily Solderable  
•
Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 260°C  
Max. for 10 Seconds  
CASE 403A–03  
•
•
•
Shipped in 12 mm Tape and Reel, 2500 units per reel  
Polarity: Notch in Plastic Body Indicates Cathode Lead  
Marking: B130  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
30  
Volts  
RRM  
RWM  
R
V
Average Rectified Forward Current  
T
T
= 120°C  
= 110°C  
I
1.0  
2.0  
Amps  
Amps  
°C  
L
L
F(AV)  
Nonrepetitive Peak Surge Current  
I
40  
FSM  
(Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz)  
Operating Junction Temperature  
T
J
– 65 to +125  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance — Junction to Lead  
(T = 25°C)  
L
R
12  
°C/W  
θJL  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (1)  
V
Volts  
mA  
F
(i = 1.0 A, T = 25°C)  
0.395  
0.445  
F
F
J
J
(i = 2.0 A, T = 25°C)  
Maximum Instantaneous Reverse Current (1)  
(Rated dc Voltage, T = 25°C)  
I
R
1.0  
10  
J
(Rated dc Voltage, T = 100°C)  
J
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions — The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit  
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Rev 1  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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MBRS130LT3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBRS130L ONSEMI

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SL22-E3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA, DO-214AA, PLASTIC

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