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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> MBRM3100-13
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MBRM3100-13

更新时间： 2024-11-18 22:51:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线高压功效
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
3A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER POWERMITE3

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MBRM3100-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.83Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.64 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

MBRM3100-13 数据手册

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MBRM3100  
3A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
POWERMITEâ3  
DEVELOPMENT  
UNDER  
Features  
·
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Reverse Breakdown Voltage  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
POWERMITEâ3  
E
A
Min  
4.03  
6.40  
Max  
4.09  
6.61  
Dim  
A
G
P
3
B
·
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
C
.889 NOM  
1.83 NOM  
1.10 1.14  
.178 NOM  
H
J
D
B
Mechanical Data  
E
G
H
1
2
·
·
Case: POWERMITEâ3, Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Polarity: See Diagram  
Marking: See Sheet 3  
5.01  
5.17  
4.43  
M
J
4.37  
D
K
·
·
·
·
K
.178 NOM  
C
C
L
L
.71  
.36  
.77  
.46  
M
P
PIN 1  
PIN 2  
Weight: 0.072 grams (approx.)  
PIN 3, BOTTOMSIDE  
HEAT SINK  
1.73  
1.83  
All Dimensions in mm  
Note:  
Pins 1 & 2 must be electrically  
connected at the printed circuit board.  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Value  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
100  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
70  
3
V
A
Average Rectified Output Current  
(See also Figure 5)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
IFSM  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
50  
A
(JEDEC Method)  
@ TC = 90°C  
RqJS  
RqJC  
Tj  
Typical Thermal Resistance Junction to Soldering Point  
Typical Thermal Resistance Junction to Case  
Operating Temperature Range  
3.5  
°C/W  
°C/W  
°C  
1.6  
-55 to +125  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
V(BR)R  
IR = 0.2mA  
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)  
100  
¾
¾
V
IF = 3A, Tj = 25°C  
IF = 3A, Tj = 100°C  
IF = 6A, Tj = 25°C  
IF = 6A, Tj = 100°C  
¾
¾
¾
¾
0.72  
0.60  
0.79  
0.68  
0.76  
¾
¾
VF  
Forward Voltage (Note 1)  
V
¾
mA Tj = 25°C, VR = 100V  
mA Tj = 100°C, VR = 100V  
¾
¾
2
100  
20  
IR  
Reverse Current (Note 1)  
Total Capacitance  
0.5  
CT  
f = 1.0MHz, VR = 4.0V DC  
pF  
¾
85  
¾
Notes:  
1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30354 Rev. 3 - 1  
1 of 3  
www.diodes.com  
MBRM3100  
123

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