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MBRM2H100T3G PDF预览

MBRM2H100T3G

更新时间： 2024-11-19 11:11:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
5页 123K
描述
Surface Mount Schottky Power Rectifier

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MBRM2H100T3G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-216AA包装说明：LEAD FREE, MICRO MINIATURE, PLASTIC, CASE 457-04, POWERMITE-2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：5 weeks风险等级：1.1
Is Samacsys：N应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.84 VJEDEC-95代码：DO-216AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G1JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：20 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBRM2H100T3G 数据手册

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MBRM2H100T3G  
Surface Mount  
Schottky Power Rectifier  
POWERMITE®  
Power Surface Mount Package  
http://onsemi.com  
®
The Schottky Powermite employs the Schottky Barrier principle  
with a barrier metal and epitaxial construction that produces optimal  
forward voltage drop−reverse current tradeoff. The advanced  
packaging techniques provide for a highly efficient micro miniature,  
space saving surface mount Rectifier. With its unique heatsink design,  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
2.0 AMPERES, 100 VOLTS  
®
the Powermite has the same thermal performance as the SMA while  
being 50% smaller in footprint area. Because of its small size, it is  
ideal for use in portable and battery powered products such as cellular  
and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs  
and PCMCIA cards. Typical applications are AC−DC and DC−DC  
converters, reverse battery protection, and “ORing” of multiple supply  
voltages and any other application where performance and size are  
critical.  
CATHODE  
ANODE  
POWERMITE  
CASE 457  
PLASTIC  
Features  
• Low Profile − Maximum Height of 1.1 mm  
2
• Small Footprint − Footprint Area of 8.45 mm  
MARKING DIAGRAM  
• Low V Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life  
F
• Supplied in 12 mm Tape and Reel  
M
B2HG  
1
2
• Low Thermal Resistance with Direct Thermal Path of Die on  
Exposed Cathode Heat Sink  
• This is a Pb−Free Device  
M
= Date Code  
B2H = Device Code  
Mechanical Characteristics:  
G
= Pb−Free Package  
®
• Powermite is JEDEC Registered as D0−216AA  
• Case: Molded Epoxy  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• Weight: 16.3 mg (Approximately)  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
MBRM2H100T3G Powermite 12000/Tape & Reel  
260°C Maximum for 10 Seconds  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
April, 2009 − Rev. 0  
MBRM2H100/D  
12345

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MBRM2H100T3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NRVBM2H100T3G ONSEMI

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