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MBRF20H90CTG-E3/45 PDF预览

MBRF20H90CTG-E3/45

更新时间： 2024-11-05 14:34:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 149K
描述
DIODE 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN, Rectifier Diode

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MBRF20H90CTG-E3/45 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.69
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：90 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBRF20H90CTG-E3/45 数据手册

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MBR(F,B)20H90CTG thru MBR(F,B)20H100CTG  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier  
High Barrier Technology for improved high temperature performance  
FEATURES  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Guardring for overvoltage protection  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
3
3
2
2
1
MBR20H90CTG  
MBR20H100CTG  
1
MBRF20H90CTG  
MBRF20H100CTG  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak  
of 245 °C (for TO-263AB package)  
PIN 1  
PIN 2  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
PIN 3  
PIN 3  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds (for TO-220AB &  
ITO-220AB package)  
TO-263AB  
K
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
2
TYPICAL APPLICATIONS  
1
MBRB20H90CTG  
MBRB20H100CTG  
For use in high frequency rectifier of switching  
mode power supplies, free-wheeling diodes, dc-to-dc  
converters or polarity protection application.  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
10 A x 2  
90 V, 100 V  
150 A  
0.70 V  
IR  
3.5 µA  
Polarity: As marked  
Tj max  
175 °C  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL  
MBR20H90CTG MBR20H100CTG  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
90  
90  
90  
100  
100  
100  
V
V
V
VRWM  
VDC  
Total device  
Maximum average forward rectified current at TC = 155 °C  
per diode  
20  
10  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
150  
Peak repetitive reverse current per diode at tp = 2 µs, 1 kHz  
Voltage rate of change (rated VR)  
IRRM  
dv/dt  
0.5  
A
10000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
From terminal to heatsink t = 1 minute  
VAC  
1500  
V
Document Number 88856  
18-Aug-06  
www.vishay.com  
1
12345

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与MBRF20H90CTG-E3/45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRF20H90CTHE3/45 VISHAY

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 		DIODE 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB,
MBRF20H90CT-HE3/45 VISHAY

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 		DIODE 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB,
MBRF20HXXCT VISHAY

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MBRF20L100CT TSC

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