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MBRD660CT-TP

更新时间: 2024-09-22 20:58:55
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美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 556K
描述
Rectifier Diode,

MBRD660CT-TP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSSO-G2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:1.01
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.74 V
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:80 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:60 V
最大反向电流:50 µA表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MBRD660CT-TP 数据手册

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M C C  
R
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
MBRD660CT  
Features  
·
·
·
·
·
·
Pb-Free Package  
Extremely Fast Switching  
Extremely Low Forward Drop.  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
6 Amp Schottky  
Barrier Rectifier  
60 Volts  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Maximum Ratings  
(TO-252) DPAK  
J
Operating Temperature:- 65to +150℃  
Storage Temperature: -65to +150℃  
H
1
C
I
O
F
E
2
3
4
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
60V  
Maximum  
DC  
Blocking  
Voltage  
Maximu  
m RMS  
Voltage  
MCC  
Part Number  
M
V
K
MBRD660CT  
42V  
60V  
G
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
Q
IF(AV)  
6.0A  
Peak Forward Surge  
Current  
A
IFSM  
80A  
8.3ms, half sine  
Maximum Instantaneous  
Forward Voltage  
L
D
B
0.74V  
IF =3.0A; TJ = 25℃  
VF  
1
2 , 4  
HEATSINK  
3
DIMENSIONS  
Maximum DC Reverse  
Current At Rated DC  
Blocking Voltage  
TJ = 25  
INCHES  
MAX  
MM  
MAX  
2.40  
0.13  
0.86  
0.58  
6.70  
5.46  
4.83  
6.20  
2.39  
10.40  
2.90  
1.70  
1.60  
0.05mA  
25mA  
IR  
DIM  
A
B
C
D
E
F
MIN  
MIN  
2.20  
0.00  
0.66  
0.46  
6.50  
5.10  
NOTE  
0.087  
0.000  
0.026  
0.018  
0.256  
0.201  
0.094  
0.005  
0.034  
0.023  
0.264  
0.215  
TJ = 100℃  
G
H
I
J
K
L
M
O
Q
V
0.190  
0.236  
0.086  
0.386  
0.244  
0.094  
0.409  
6.00  
2.18  
9.80  
0.114  
0.063  
0.043  
0.000  
0.055  
0.067  
1.40  
0.051  
0.012  
1.10  
0.00  
1.30  
0.30  
0.211  
5.35  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
2017/12/21  
Revision: C  

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, TO-252AA, LEAD FRE