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MBR840F_T0_00001

更新时间： 2024-09-18 01:23:07
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强茂 - PANJIT 局域网功效瞄准线二极管
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4页 94K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR840F_T0_00001 技术参数

生命周期：Active包装说明：ITO-220AC, 2 PIN
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.64
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向电流：50 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBR840F_T0_00001 数据手册

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MBR840F~MBR8200F  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
CURRENT  
8 Ampere  
VOLTAGE  
40 to 200 Volt  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O utilizing  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
• Low power loss, high efficiency.  
• Low forward voltage, high current capability  
• High surge capacity.  
• For use in low voltage,high frequency inverters  
free wheeling, and polarlity protection applications.  
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)  
MECHANICAL DATA  
• Case: ITO-220AC plastic package  
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: As marked.  
• Weight: 0.055 ounces, 1.56 grams.  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR840F MBR845F MBR850F MBR860F MBR880F MBR890F MBR8100F MBR8150F MBR8200F  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
UNITS  
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
40  
28  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
8
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
Maximum RMS Voltage  
VRMS  
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward  
VDC  
100  
IF(AV)  
A
Peak Forward Surge Current  
superimposed on rated load  
: 8.3ms single half sine-wave  
IFSM  
150  
A
Maximum Forward Voltage at 8A  
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking TJ=25O  
VF  
0.7  
0.75  
0.8  
0.9  
V
C
0.05  
20  
IR  
mA  
Voltage  
TJ=100O  
C
Typical Thermal Resistance  
RθJC  
3
OC /  
W
OC  
-55 to +150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-65 to +175  
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.  
October 7,2016-REV.03  
PAGE . 1  
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