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MBR7H60HE3/45

更新时间： 2024-01-23 10:00:02
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 127K
描述
DIODE 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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MBR7H60HE3/45 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.32
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.61 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：7.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

MBR7H60HE3/45 数据手册

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New Product  
MBR(F,B)7H35 thru MBR(F,B)7H60  
Vishay General Semiconductor  
Schottky Barrier Rectifier  
High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance  
FEATURES  
ITO-220AC  
TO-220AC  
• Guardring for overvoltage protection  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
2
2
1
1
MBR7Hxx  
PIN 1  
MBRF7Hxx  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
PIN 1  
CASE  
PIN 2  
PIN 2  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and  
ITO-220AC package)  
TO-263AB  
K
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
2
1
TYPICAL APPLICATIONS  
MBRB7Hxx  
For use in low voltage, high frequency rectifier of  
switching mode power supplies, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters or polarity protection application.  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
7.5 A  
VRRM  
IFSM  
VF  
35 V to 60 V  
150 A  
0.55 V, 0.61 V  
50 μA  
IR  
TJ max.  
175 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL MBR7H35 MBR7H45 MBR7H50 MBR7H60  
UNIT  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
V
Maximum DC blocking voltage  
V
Max. average forward rectified current (Fig. 1)  
Non-repetitive avalanche energy at 25 °C, IAS = 4 A, L = 10 mH  
IF(AV)  
EAS  
7.5  
80  
A
mJ  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
150  
A
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2.0 μs, 1 kHz  
Peak non-repetitive reverse energy (8/20 μs waveform)  
IRRM  
1.0  
20  
0.5  
10  
A
ERSM  
mJ  
Electrostatic discharge capacitor voltage human body model:  
C = 100 pF, R = 1.5 k:  
VC  
25  
kV  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
Document Number: 88796  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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MBR7H60HE3/45 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		DIODE 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2,
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