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MBR760 PDF预览

MBR760

更新时间： 2024-11-24 13:47:35
品牌 Logo 应用领域
EIC 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
Schottky Barrier Rectifiers

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MBR760 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.27
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.75 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：7.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：500 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBR760 数据手册

 浏览型号MBR760的Datasheet PDF文件第2页 
Certificate TH97/10561QM  
Certificate TW00/17276EM  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER DIODES  
MBR735 ~ MBR760  
TO-220AC  
PRV : 35~60 Volts  
Io : 7.5 Amperes  
0.154(3.91)DIA.  
0.148(3.74)  
0.185(4.70)  
0.175(4.44)  
0.415(10.54)MAX.  
0.055(1.39)  
0.045(1.14)  
0.113(2.87)  
0.103(2.62)  
FEATURES :  
0.145(3.68)  
0.135(3.43)  
* Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classifications 94V-0  
* Metal silicon junction, majority carrier conduction  
* Low power loss, high efficiency  
0.603(15.32)  
0.573(14.55)  
0.635(16.13)  
0.625(15.87)  
0.350(8.89)  
0.330(8.39)  
1
2
0.160(4.06)  
0.140(3.56)  
* Guardring for overvoltage protection  
* For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
* High temperature soldering : 250°C/10 seconds,  
0.25" (6.35mm) from case  
0.560(14.22)  
0.530(13.46)  
PIN 1  
CASE  
PIN 2  
0.037(0.94)  
0.027(0.68)  
0.022(0.56)  
0.014(0.36)  
0.205(520)  
0.195(4.95)  
* Pb / RoHS Free  
MECHANICAL DATA :  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Case : JEDEC TO-220AC molded plastic body  
* Terminals: Plated leads, solderable per  
MIL-STD-750 Method 2026  
* Polarity: As marked  
* Mounting Position: Any  
* Weight : 2.24 grams (Approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Tc = 25 °C unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL MBR735 MBR745 MBR750 MBR760 UNIT  
VRRM  
VRWM  
VDC  
Maximum Reptitive Peak Reverse Voltage  
Maximum Working Peak Reverse Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
V
V
V
A
IF(AV)  
Maximum Average Forward Rectified Current (See Fig. 1)  
Peak Forward Surg Current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)  
at IF = 7.5 A, TC = 25 °C  
7.5  
IFSM  
150  
A
VF  
-
0.75  
0.65  
0.5  
V
at IF = 7.5 A, TC = 125 °C  
0.57  
0.1  
15  
Maximum Reverse Current at Rate  
Peak Reverse Voltage  
T C = 25 °C  
C = 125 °C  
IR  
mA  
T
IR(H)  
RθJC  
TJ  
50  
Typical Thermal Resistance  
3.0  
°C/W  
°C  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-65 to + 150  
-65 to + 175  
TSTG  
°C  
Note :  
(1) Pulse test : 300 µs pluse width, 1% duty cycle  
Rev. 01 : February 22, 2006  
Page 1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR760/45 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 7.5A, 60V V(RRM),
MBR760/45-E3 VISHAY

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 		DIODE 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
MBR760-BP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS C
MBR760C0 TSC

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 		Schottky Barrier Rectifier
MBR760C0G TSC

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 		Schottky Barrier Rectifier
MBR760-E3 VISHAY

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 		DIODE 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
MBR760-E3/45 VISHAY

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 		DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220AC
MBR760-E3-45 VISHAY

获取价格

 		Schottky Barrier Rectifier
MBR760-G SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 7.5A, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
MBR760G-TA2-T UTC

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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