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MBR735

更新时间： 2024-02-09 06:15:52
品牌 Logo 应用领域
科盛美 - KERSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 987K
描述
Plastic material used carries Underwriters Laboratory Classifications 94V-0

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MBR735 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：PLASTIC, TO-220A, 2 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.66
其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.84 VJEDEC-95代码：TO-220
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：7.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：35 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBR735 数据手册

 浏览型号MBR735的Datasheet PDF文件第2页 
MBR735 - MBR7150  
TO-220AC  
.185(4.70)  
.175(4.44)  
.055(1.40)  
.045(1.14)  
.412(10.5)  
MAX  
DIA  
.154(3.91)  
.148(3.74)  
.113(2.87)  
.103(2.62)  
.27(6.86)  
.23(5.84)  
Features  
.594(15.1)  
.587(14.9)  
ꢀ
Plastic material used carries Underwriters  
Laboratory Classifications 94V-0  
PIN1  
2
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Metal silicon rectifier, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
.16(4.06)  
.14(3.56)  
.11(2.79)  
.10(2.54)  
High current capability, low forward voltage drop  
High surge capability  
.56(14.22)  
.53(13.46)  
.037(0.94)  
.027(0.68)  
For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
Guardring for overvoltage protection  
ꢀ
ꢀ
.025(0.64)  
.014(0.35)  
High temperature soldering guaranteed:  
o
.205(5.20)  
.195(4.95)  
260 C/10 seconds,0.25”(6.35mm)from case  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
Mechanical Data  
ꢀ
ꢀ
Cases: JEDEC TO-220AC molded plastic body  
Terminals: Pure tin plated, lead free. solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: As marked  
Mounting position: Any  
Mounting torque: 5 in. - lbs. max  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
o
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
Symbol MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR  
Type Number  
Units  
735 745 750 760 790 7100 7150  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
35  
24  
35  
45  
31  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
See Fig. 1  
I(AV)  
IFRM  
7.5  
15.0  
150  
A
A
Peak Repetitive Forward Current (Square Wave, 20KHz) at  
o
Tc=105 C  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave  
Superimposed on Rated Load (JEDEC method )  
Peak Repetitive Reverse Surge Current (Note 1)  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at (Note 2)  
IFSM  
IRRM  
A
A
1.0  
0.5  
I =7.5A,Tc=25℃  
F
0.75  
0.65  
－
0.92  
0.82  
－
0.95  
0..92  
－
－
I =7.5A,Tc=125℃  
F
0.57  
0.84  
0.72  
V
VF  
I =15A,Tc=25℃  
F
－
－
－
I =15A,Tc=125℃  
F
o
Maximum Instantaneous Reverse Current @ Tc =25  
C
0.1  
0.1  
10  
0.1  
5.0  
mA  
mA  
IR  
o
at Rated DC Blocking Voltage (Note 1) @ Tc=125 C  
15.0  
Voltage Rate of Change (Rated V )  
R
dv/dt  
10,000  
280  
V/uS  
Typical Junction Capactance  
Cj  
360  
200  
160  
pF  
Maximum Thermal Resistance, (Note 3)  
R
5.0  
15.0  
o
θJC  
C/W  
R
θJA  
o
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
-65 to +150  
C
J
o
TSTG  
-65 to +175  
C
Notes:  
1. 2.0us Pulse Width, f=1.0 KHz  
2. Pulse Test: 300us Pulse Width, 1% Duty Cycle  
3. Mounted on Heatsink Size of 2 in x 3 in x 0.25 in Al-Plated.  
www.kersemi.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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