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MBR735

更新时间： 2024-02-27 23:56:39

品牌	Logo	应用领域
SIRECTIFIER		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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MBR735 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	PLASTIC, TO-220A, 2 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.66
其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.84 V	JEDEC-95代码：	TO-220
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	7.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	35 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

MBR735 数据手册

MBR730 thru MBR745

Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers

Dimensions TO-220AC

Dim.

Inches

Min. Max.

Milimeter

Min. Max.

0.500 0.580

0.560 0.650

0.380 0.420

0.139 0.161

2.300 0.420

0.100 0.135

0.045 0.070

12.70 14.73

14.23 16.51

9.66 10.66

C(TAB)

3.54

5.85

2.54

1.15

4.08

6.85

3.42

1.77

6.35

0.89

5.33

4.82

0.56

2.49

1.39

A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode

VRRM

VRMS

VDC

0.250

0.025 0.035

0.190 0.210

0.140 0.190

0.015 0.022

0.080 0.115

0.025 0.055

0.64

4.83

3.56

0.38

2.04

0.64

MBR730

MBR735

MBR740

MBR745

24.5

31.5

Symbol

Characteristics

Maximum Ratings

Unit

I(AV)

Maximum Average Forward Rectified Current @TC=125^oC

7.5

Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave

Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)

IFSM

150

dv/dt

Voltage Rate Of Change (Rated VR)

IF=7.5A @TJ=25^oC

Maximum Forward

Voltage (Note 1)

10000

V/us

IF=7.5A @TJ=125^oC

IF=15A @TJ=25^oC

IF=15A @TJ=125^oC

0.57

0.84

0.72

Maximum DC Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@TJ=25^oC

0.1

@TJ=125^oC

3.5

^oC/W

^oC

ROJC

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Typical Junction Capacitance (Note 3)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

400

-55 to +150

-55 to +175

TSTG

^oC

NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%.

2. Thermal Resistance Junction To Case.

3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.

FEATURES

MECHANICAL DATA

* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton

* Guard ring for transient protection

* Low power loss, high efficiency

* High current capability, low VF

* Case: TO-220AC molded plastic

* Polarity: As marked on the body

* Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams

* Mounting position: Any

* High surge capacity

* For use in low voltage, high frequency inverters, free

whelling, and polarity protection applications

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBR735_07	VISHAY	获取价格	Schottky Barrier Rectifier
MBR735_1	TSC	获取价格	7.5 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
MBR735_10	TSC	获取价格	7.5 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
MBR735_11	TSC	获取价格	7.5 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
MBR735_13	TSC	获取价格	7.5 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers Low power loss, high efficiency
MBR735-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
MBR735-E3/45	VISHAY	获取价格	DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AC
MBR735G	ONSEMI	获取价格	Schottky Power Rectifier, Switch-mode, Dual, 7.5 A, 35 V
MBR735HE3/45	VISHAY	获取价格	DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AC
MBR735-HE3/45	VISHAY	获取价格	DIODE 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2,

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