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MBR40H35CT PDF预览

MBR40H35CT

更新时间： 2024-09-25 22:36:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
3页 51K
描述
Dual Schottky Barrier Rectifiers

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MBR40H35CT 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.8其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：350 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR40H35CT 数据手册

 浏览型号MBR40H35CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR40H35CT的Datasheet PDF文件第3页 
MBR40H35CT thru MBR40H60CT  
New Product  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Dual Schottky Barrier Rectifiers  
Reverse Voltage 35V to 60V  
Forward Current 40A  
Max. Junction Temperature 175°C  
Features  
• Dual rectifier construction, positive center tap  
• Metal silicon junction, majority carrier conduction  
• Low power loss, high efficiency  
• Guardring for overvoltage protection  
• For use in high frequency inverters,  
TO-220AB (MBR40HxxCT)  
0.398 (10.10)  
0.185 (4.70)  
0.169 (4.30)  
0.382 (8.70)  
0.055 (1.40)  
0.047 (1.20)  
0.150 (3.80)  
0.139 (3.54)  
free wheeling, and polarity protection applications  
0.343 (8.70) Typ.  
0.055 (1.40)  
0.049 (1.25)  
Dia.  
0.114 (2.90)  
0.106 (2.70)  
Mechanical Data  
Case: JEDEC TO-220AB molded plastic body  
0.154 (3.90)  
0.138 (3.50)  
0.067  
(1.70) Typ.  
Terminals: Plated leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds, 0.25" (6.35mm) from case  
Polarity: As marked  
Mounting Position: Any  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Weight: 0.08oz., 2.24g  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
0.638 (16.20)  
0.598 (15.20)  
0.634 (16.10)  
0.618 (15.70)  
0.331 (8.40) Typ.  
0.370 (9.40)  
0.354 (9.00)  
PIN  
1
2
3
1.161 (29.48)  
1.105 (28.08)  
0.118  
(3.00) Typ.  
0.102 (2.60)  
0.087 (2.20)  
0.523 (13.28)  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
0.507 (12.88)  
0.035 (0.90)  
0.028 (0.70)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
0.064 (1.62)  
0.056 (1.42)  
0.200 (5.08) Typ.  
0.024 (0.60)  
0.018 (0.45)  
0.100  
(2.54) Typ.  
Maximum Ratings (TC = 25°C unless otherwise noted)  
MBR40H MBR40H MBR40H MBR40H  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
VRWM  
VDC  
35CT  
45CT  
50CT  
60CT  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
35  
45  
50  
60  
35  
45  
50  
60  
V
Maximum DC blocking voltage  
35  
45  
50  
60  
V
Maximum average forward rectified current Total device  
40  
20  
IF(AV)  
A
A
(see fig. 1)  
Per leg  
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rated load  
IFSM  
350  
320  
Per leg  
Peak repetitive reverse current per leg at tp = 2µs, 1KHZ  
IRRM  
1.0  
20  
A
Peak non-repetitive reverse surge energy  
ERSM  
mJ  
(8/20µs waveform)  
Per leg  
Per leg  
Non-repetitive avalanche energy  
at 25°C, IAS = 3.0A, L=5mH  
EAS  
22.5  
mJ  
Voltage rate of change (rated VR)  
dv/dt  
10,000  
V/µs  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
–65 to +175  
°C  
Document Number 88920  
14-Jul-04  
www.vishay.com  
1
123

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与MBR40H35CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR40H35CT/45 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 20A, 35V V(RRM),
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MBR40H45CT KERSEMI

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 		Dual rectifier construction, positive center tap
MBR40H45CT VISHAY

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 		Dual Schottky Barrier Rectifiers
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