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MBR4045PT-E3/45 PDF预览

MBR4045PT-E3/45

更新时间： 2024-02-16 03:55:08
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威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
4页 388K
描述
Dual Common-Cathode Schottky Rectifier

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MBR4045PT-E3/45 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AD
包装说明：R-PSFM-T3针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.6 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

MBR4045PT-E3/45 数据手册

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MBR4035PT thru MBR4060PT  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
3
2
1
TO-247AD (TO-3P)  
PIN 2  
CASE  
PIN 1  
PIN 3  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage, high frequency rectifier of  
switching mode power supplies, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters or polarity protection application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
40 A  
VRRM  
IFSM  
35 V to 60 V  
400 A  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-247AD (TO-3P)  
VF  
0.60 V, 0.62 V  
150 °C  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
TJ max.  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL MBR4035PT MBR4045PT MBR4050PT MBR4060PT UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
V
V
V
A
Maximum average forward rectified current at TC = 125 °C  
IF(AV)  
40  
Peak forward surge current, 8.3 ms single  
half sine-wave superimposed on rated load per diode  
IFSM  
400  
A
Peak repetitive reverse surge current per diode (1)  
Voltage rate of change at (rated VR)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
IRRM  
dV/dt  
TJ  
2.0  
1.0  
A
V/µs  
°C  
10 000  
- 65 to + 150  
- 65 to + 175  
TSTG  
°C  
Note:  
(1) 2.0 µs pulse width, f = 1.0 kHz  
Document Number: 88679  
Revision: 25-Mar-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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MBR4045PT-E3/45 替代型号

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