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MBR30150CT PDF预览

MBR30150CT

更新时间： 2024-09-24 14:58:27
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扬杰 - YANGJIE /
页数 文件大小 规格书
2页 175K
描述
TO-220AB

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MBR30150CT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：4.71Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：150 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR30150CT 数据手册

 浏览型号MBR30150CT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR3035CT~MBR30200CT  
肖特基二极管SCHOTTKY Diodes  
■特征 Features  
● 耐正向浪涌电流能力高  
■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark  
T O- 220AB  
High surge forward current capability  
● 低功耗，大电流  
Low Power loss, High efficiency  
.200(5.10)  
.159(4.04)  
.17(4.31)  
.131(3.34)  
.429(10.9)  
MAX  
.055(1.40)  
.045(1.14)  
DIA  
.129(3.27)  
.087(2.22)  
●
Io  
30.0A  
.61(15.5)  
.571(14.5)  
● VRRM  
35-200V  
PIN1  
2
3
.126(3.19)  
.084(2.14)  
.176(4.46)  
.124(3.16)  
.576(14.62)  
.514(13.06)  
.037(0.94)  
.027(0.68)  
■用途 Applications  
●快速整流用  
.025(0.64)  
.011(0.28)  
.121(3.07)  
.079(2.01)  
.121(3.07)  
.079(2.01)  
High speed switching  
PIN1  
PIN2  
CASE  
PIN3  
Dimensions in inches and (millimeters)  
■极限值（绝对最大额定值）  
Limiting Values（Absolute Maximum Rating）  
测试条件  
MBR30-CT  
参数名称  
符号 单位  
Test Conditions  
Item  
Symbol Unit  
35  
35  
40  
40  
45  
45  
50  
60  
80  
90 100 150 200  
反向重复峰值电压  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
VRRM  
Io  
V
A
A
50  
60  
80  
90 100 150 200  
60HZ 正弦波，电阻负载，Ta=25℃  
60HZ sine wave, R- load, Ta=25℃  
平均整流输出电流  
Average Rectified Output Current  
30  
60HZ正弦波，一个周期，Ta=25℃  
60HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃  
正向（不重复）浪涌电流  
Surge(Non-repetitive)Forward Current  
IFSM  
200  
正向浪涌电流的平方对电流浪涌持  
续
1ms≤t＜8.3ms T =25℃,单个二  
j
I2t  
A2s  
极管  
167  
时间的积分值  
Current Squared Time  
1ms≤t＜8.3ms T =25℃,Rating  
j
of per diode  
贮存温度  
Storage Temperature  
℃
℃
Tstg  
Tj  
-55 ~ +150  
在正向直流条件下，没有施加反向压  
降，通电≤1h（图示1）①  
IN DC Forward Mode-Forward  
Operations，without reverse bias, t  
≤1 h (Fig. 1)①  
结温  
-55 ~ +150  
Junction Temperature  
■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定）  
Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified）  
MBR30-CT  
参数名称  
Item  
符号  
单位  
测试条件  
Symbol Unit Test Condition  
35  
40  
45  
50  
60  
80  
90  
100 150 200  
正向峰值电压  
Peak Forward Voltage  
VFM  
V
I FM =15A  
T =25℃  
0.7  
20  
0.8  
0.85  
0.90 0.95  
IRRM1  
IRRM2  
0.2  
反向峰值电流  
Peak Reverse Current  
a
mA  
VRM =VRRM  
15  
10  
T =100℃  
a
热阻  
结和壳之间  
Between junction and case  
℃/W  
2.0  
R
θJ-C  
Thermal Resistance  
备注：Notes:  
1) 热电阻从结到本体,每管脚到散热片的尺寸为  
2"×3"×0.25 的铝板  
Thermal resistance from junction to case per leg with heat-sink size of 2"×3"×0.25" AL-plate  
扬州扬杰电子科技股份有限公司  
www.21yangjie.com  
S-B181  
Rev. 1.0, 12-Mar-15  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
12

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