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MBR30100CT

更新时间： 2024-01-12 07:36:37

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描述
Power Schottky Rectifier - 30Amp 100Volt

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MBR30100CT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.05 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	1000 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MBR30100CT 数据手册

E L E C T R O N I C

MBR30100CT

Power Schottky Rectifier - 30Amp 100Volt

□ Features

-Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classifications 94V-0

-High Junction Temperature Capability

-Low forward voltage, high current capability

-High surge capacity

-Low power loss, high efficiency

-ESD performance human body mode > 8 KV

TO-220AB

□ Application

-AC/DC Switching Adaptor and TFT-LCD Power Supply

-SMPS

□ Absolute maximum ratings

Symbol

IF(AV)

Ratings

Unit

Conditions

Average Forward Current

Repetitive Peak Reverse

Voltage

100

VRRM

350

Peak Forward Surge Current

Forward Voltage Drop

Operating Temperature

Storage Temperature

IFSM

VF(max)

0.66

-50 to +175

-50 to +150

ºC

Tstg

DIMENSIONS

□ Electrical characteristics

INCHES

MIN

DIM

NOTE

MAX

.606

.411

.116

.272

.350

.157

.551

.108

.039

.022

.157

.187

.057

.114

.055

MIN

MAX

.579

.392

.104

.248

.325

.126

.492

.096

.028

.010

.146

.167

.045

.089

.047

14.70 15.40

Parameters

Maximum Instantaneous

Forward Voltage

Symbol

Ratings

0.82V

Conditions

Tc = 25ºC

Tc = 125ºC

Tc = 25ºC

Tc = 125ºC

9.95

2.65

6.30

8.25

3.20

10.45

2.95

6.90

8.90

4.00

0.66V

Maximum Reverse Leakage

Current

0.01mA

10mA

12.50 14.00

2.45

0.70

0.25

3.70

4.25

1.15

2.25

1.20

2.75

1.00

0.55

4.00

4.75

1.45

2.90

1.40

Maximum Voltage Rate of

Change

10,000 V/μs

2.2 ºC/W

dv/dt

Rθ (j-c)

Rated VR

Per diode

Typical Thermal Resistance,

Junction to Case

Note: Pulse Test : 380μs pulse width, 2% duty cycle

September 2008 / Rev.6.2

http:// www.sirectsemi.com

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